STN3P6F6 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STN3P6F6

商品编码: BM69417794
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
SOT-223
包装 : 
编带
重量 : 
0.147g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.6W 60V 3A 1个P沟道 SOT-223
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.84
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.84
--
100+
¥2.36
--
1000+
¥2.19
--
2000+
¥2.09
--
4000+
¥2
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述

STN3P6F6参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)160mΩ@10V,1.5A
功率(Pd)2.6W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)6.4nC@10V输入电容(Ciss@Vds)340pF@48V
反向传输电容(Crss@Vds)20pF@48V工作温度-55℃~+175℃

STN3P6F6手册

STN3P6F6概述

STN3P6F6 产品概述

产品简介

STN3P6F6 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)出品的 P 通道功率 MOSFET,专为高效能电源管理应用及开关电路设计。其主要特点包括优秀的导通电阻、较宽的工作温度范围以及优良的开关性能,适用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品等众多领域。

核心参数

STN3P6F6 的主要规格参数如下:

  • FET 类型: P 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)
  • 漏源电压 (Vdss): 60V,适合中压开关应用
  • 驱动电压: 最大 Rds On,最小 Rds On 为 10V,确保高效的开关操作。
  • 导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 驱动下,导通电阻最大为 160 毫欧,适用于高电流应用,减少功耗。
  • 最大漏电流 (Id): 3A,提供强大的功率处理能力。
  • 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 4V @ 250µA,确保在较低电压下启用。
  • 栅极电荷 (Qg): 最大 6.4nC @ 10V,具有快速开关能力,适合高频应用。
  • 输入电容 (Ciss): 最大值 340pF @ 48V,确保快速的信号响应。
  • 功率耗散 (Pd): 最大功率耗散为 2.6W,表明可处理的有效功率。
  • 工作温度范围: -55°C 至 175°C,适合恶劣环境条件下工作。

封装与安装类型

STN3P6F6 采用 SOT-223 表面贴装封装,尺寸小巧,适合高密度电路板设计。其封装类型是 TO-261-4 / TO-261AA,方便进行自动化贴装和焊接工艺,提升生产效率。

应用场景

STN3P6F6 的特性使其在多个应用场景中尤为突出:

  1. 开关电源 (SMPS): 在开关电源中,以高效的开关和低导通损耗,优化整体效率,降低系统温升。
  2. 直流-直流转换器: 适用于 DC-DC 转换器中的高频开关应用,确保充足的功率转换效率。
  3. 电池管理系统: 能够在电池保护电路中实现高效开关,延长电池寿命。
  4. 电动汽车和混合动力汽车: 在电机驱动和功率控制方面提供可靠的解决方案。
  5. 工业自动化: 适合高功率驱动和控制功能的模块,提升工业设备的运行效率。

优势及建议

STN3P6F6 的设计充分考虑了市场上对高效能、可靠性及工作温度的需求。此外,其小型化的封装不仅节省了空间,还降低了整体设计的复杂性。这使得 STN3P6F6 成为电子工程师在设计电源管理和控制电路时的优选器件。

在设计时建议用户关注导通电阻与所需流过的电流的关系,以确保电路的整体效率。同时,考虑其开关频率与栅极电荷的匹配,以实现最佳的开关性能。在选型过程中,结合实际使用环境,例如温度和电气特性,也能确保 STN3P6F6 的优良表现。

总结

STN3P6F6 P 通道 MOSFET 代表了现代功率器件中高效、稳定和高性能的标杆。无论是在设计电源管理解决方案,还是在特定的高温应用环境中,STN3P6F6 都展现出卓越的性能和可靠性,为广泛的电子应用提供动力支持。