类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 160mΩ@10V,1.5A |
功率(Pd) | 2.6W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.4nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 340pF@48V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 20pF@48V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
STN3P6F6 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)出品的 P 通道功率 MOSFET,专为高效能电源管理应用及开关电路设计。其主要特点包括优秀的导通电阻、较宽的工作温度范围以及优良的开关性能,适用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品等众多领域。
STN3P6F6 的主要规格参数如下:
STN3P6F6 采用 SOT-223 表面贴装封装,尺寸小巧,适合高密度电路板设计。其封装类型是 TO-261-4 / TO-261AA,方便进行自动化贴装和焊接工艺,提升生产效率。
STN3P6F6 的特性使其在多个应用场景中尤为突出:
STN3P6F6 的设计充分考虑了市场上对高效能、可靠性及工作温度的需求。此外,其小型化的封装不仅节省了空间,还降低了整体设计的复杂性。这使得 STN3P6F6 成为电子工程师在设计电源管理和控制电路时的优选器件。
在设计时建议用户关注导通电阻与所需流过的电流的关系,以确保电路的整体效率。同时,考虑其开关频率与栅极电荷的匹配,以实现最佳的开关性能。在选型过程中,结合实际使用环境,例如温度和电气特性,也能确保 STN3P6F6 的优良表现。
STN3P6F6 P 通道 MOSFET 代表了现代功率器件中高效、稳定和高性能的标杆。无论是在设计电源管理解决方案,还是在特定的高温应用环境中,STN3P6F6 都展现出卓越的性能和可靠性,为广泛的电子应用提供动力支持。