类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 123A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.6mΩ@10V,70A |
功率(Pd) | 99W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.2V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 93nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.183nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 331pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRFB7446PBF 产品概述
产品简介
IRFB7446PBF是一款高性能的N沟道MOSFET,由知名半导体制造商Infineon(英飞凌)生产。该器件专为高功率应用而设计,具备较高的漏源电压和连续漏极电流能力,适合于各种工业和消费类电子设备的电源管理方案。其广泛的工作温度范围和优异的电气性能,使得IRFB7446PBF成为现代电力电子设计中的可靠选择。
主要参数
IRFB7446PBF的关键性能参数如下:
应用场景
IRFB7446PBF广泛应用于以下领域:
优势
选用IRFB7446PBF的主要优势在于其出色的热管理和电气性能。较低的导通电阻减少了开关损耗,进而提高了整体能效。此外,该器件的高电流和电压能力,确保其在高强度工作条件下依然能够稳定运行,对提升产品的可靠性至关重要。
总结
IRFB7446PBF是一款全面的高功率N通道MOSFET,凭借其卓越的电气特性和广泛的应用范围,提供了功能强大且经济高效的解决方案。无论是用于电源转换、驱动电机还是在工业控制方面,这款MOSFET都展现出了极大的潜力,符合当今电力电子行业对性能和可靠性的高要求。