类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 400V |
连续漏极电流(Id) | 23A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 200mΩ@14A,10V |
功率(Pd) | 280W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 210nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 4.5nF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
IRFP360PBF 是由威世(VISHAY)公司生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),适用于高电压和高电流的应用场合。这款 MOSFET 以其优越的性能、可靠的稳定性和多种应用场景的兼容性,成为现代电子设计中不可或缺的重要元件。
电气参数:
功率与热性能:
封装与安装:
IRFP360PBF MOSFET 广泛应用于各种高功率电子电路,包括但不限于:
其高电压和高电流能力,使其在汽车、工业供电和重载电器等领域尤为重要。
IRFP360PBF 的突出特点在于其优异的导通特性和高频响应能力,使其在工作过程中能够最大限度降低能量损耗,提升系统的总体效率。此外,VISHAY 在产品的设计与制造方面具有丰富的经验,其 MOSFET 经严格测试,确保能满足严苛的应用需求。
IRFP360PBF 是一款高效能、高稳定性的 N 沟道 MOSFET,凭借其400V的高漏源电压、23A的高电流能力和280W的功率散热能力,使其成为电子设计师和工程师在选择高功率元器件时的优先选择。其广泛的工作温度、优秀的电气特性以及高可靠性,不仅保证了产品在各种电气环境下的稳定性,也为多种行业的电源管理系统提供了强有力的支持。对于需要高性能的应用场合,IRFP360PBF 是一个理想的解决方案。