STF16N50M2

STF16N50M2 产品概述

产品简介

STF16N50M2 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。它具备优异的电气性能，适用于高压和大电流的开关电源、逆变器及其他电源管理和转换应用。凭借其高达 500V 的漏源电压和 13A 的连续漏极电流，STF16N50M2 可以在广泛的电源和控制电路中提供可靠的性能表现。

关键参数

1. 电气特性：

   • 漏源电压 (Vdss): 500V
   • 连续漏极电流 (Id): 13A（在 Tc = 25°C 时）
   • 最大功率耗散: 25W（在 Tc = 25°C 时）
   • 导通电阻 (Rds On): 最大 280 毫欧 @ 6.5A，10V

2. 栅极驱动特性：

   • 驱动电压: 10V（最大 Rds On）
   • Vgs（最大值）: ±25V
   • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大 4V @ 250µA
   • 栅极电荷 (Qg): 最大 19.5nC @ 10V

3. 输入电容：

   • 输入电容 (Ciss): 最大 710pF @ 100V

4. 环境条件：

   • 工作温度: -55°C 至 150°C（TJ）
   • 封装类型: TO-220-3（通孔）

应用领域

STF16N50M2 的设计使其成为多个应用的理想选择，尤其是在以下几个领域：

• 开关电源：在高效能的开关电源中，此 MOSFET 可以作为开关元件，有效地控制电流和电压，以实现高效率的能量转换。
• 逆变器：适合用于太阳能逆变器和变频器等电力转换设备，保证在各种负载条件下的稳定工作。
• 电机驱动：在直流电机和步进电机驱动系统中，STF16N50M2 能够以高效率控制电动机的启动、停止和速度调节。
• 负载开关：在各种电源管理应用中充当负载开关，支持快速切换和高电流承载能力。

优势

• 高耐压与高电流: 该器件的 500V 工作电压和 13A 连续漏极电流使其可以应对各种高压应用，为用户提供了更大的设计灵活性。
• 低导通电阻: 低 Rds On 确保了更高的能量效率，减少了功耗，提高了设备的整体性能。
• 宽工作温度范围: -55°C 至 150°C 的工作温度范围使其适用于严苛的环境条件，增加了其在工业应用中的可靠性。

封装特性

STF16N50M2 采用 TO-220-3 封装，具备良好的散热性能。此封装设计不仅方便了安装，还能有效地提高散热能力，确保器件在高负载下的稳定运行。

总结

STF16N50M2 是功能强大的 N 通道 MOSFET，适合于各种高压、高电流的应用场合。凭借其优越的电性能、高工作温度范围和良好的散热能力，STF16N50M2 是电源设计、马达驱动及其他电力控制应用中不可或缺的元器件之一。无论是在消费类电子产品，还是在工业设备中，该 MOSFET 都能为设计人员提供灵活的解决方案，助力高效与稳定的电源管理。