IGBT类型 | FS(场截止) | 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
集电极电流(Ic) | 60A | 功率(Pd) | 258W |
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 2V@15V,30A | 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) | 80nC |
开启延迟时间(Td(on)) | 31.6ns | 关断延迟时间(Td(off)) | 115ns |
导通损耗(Eon) | 0.3mJ | 关断损耗(Eoff) | 0.96mJ |
反向恢复时间(Trr) | 140ns | 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
STGWA30M65DF2 是一种功能强大的绝缘栅双极晶体管(IGBT),专为高效率的电能转换和电力控制应用而设计。它的封装类型为 TO-247-3,适合通孔安装,能够在高温和高电流情况下稳定运行。这种器件广泛应用于工业电源、变频器、电机驱动和其他需要高功率开关的应用场合。
电流能力
电压能力
开关特性
热性能
反向恢复特性
STGWA30M65DF2 IGBT 主要应用于如下领域:
STGWA30M65DF2 是一款高性能的 IGBT,具有卓越的电气特性、出色的温度性能和广泛的应用范围。由意法半导体(STMicroelectronics)设计制造,确保了产品的高可靠性和稳定性。无论是在电机控制、电源转换还是其他高功率应用中,该器件都能够提供高效的电流控制和能量转换,助力各类工业和消费电子应用的高效运行。其良好的开关特性和优异的热性能使其成为工程师和设计师在设计中优选的电力控制解决方案。