类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 950V |
连续漏极电流(Id) | 12A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 500mΩ@10V,6A |
功率(Pd) | 170W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@100uA |
STP15N95K5 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能 N 通道 MOSFET。这款场效应管专为处理高电压和高电流应用而设计,具有950V的漏源电压(Vdss)和12A的连续漏极电流(Id),在相对较高的功率耗散能力(最大170W)下,能够提供出色的可靠性和稳定性。该元器件在各种电子设备中的应用范围广泛,包括开关电源、电机驱动、逆变器和其他高压和高功率项目。
STP15N95K5 采用现代 MOSFET 技术,具有显著的导通性能和较低的导通电阻。这使其在高电流应用中能够提供更低的电能损耗和更高的工作效率。此外,该器件的高开关速度和较低的栅极电荷,使其适用于高速开关应用,从而提高了系统的整体性能。
STP15N95K5 采用 TO-220 封装,这种封装形式不仅易于散热,还便于在各种电路板上安装。TO-220 封装的物理特性使得该元件能够在高功率应用中高效运行,确保良好的热管理。
STP15N95K5 是一款出色的 N 通道 MOSFET,凭借其高耐压、高电流和低导通电阻等特点,广泛应用于各种高性能电子设备。无论是在开关电源、电机驱动还是逆变器中,该元器件均能提供卓越的性能和可靠性。选择 STP15N95K5 将为电子设计提供更可靠的解决方案,满足现代电子设备对高效率、高可靠性和高性能的需求。