类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 12V |
连续漏极电流(Id) | 6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@4.5V,5A |
功率(Pd) | 1.1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 2nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.275nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 236pF | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
SI2333-TP 是一款高性能的 P 型 MOSFET(场效应晶体管),专为高效能、紧凑型电子设计而开发,封装采用广泛使用的 SOT-23-3 表面贴装型。该产品特别适用于要求较高电流处理能力以及较小占用空间的应用环境,例如便携式设备、电源管理系统以及模拟信号开关等。
SI2333-TP 在多个关键参数上表现出色,成为设计工程师在选择元器件时的优先考虑对象。其最大导通电阻和低栅极电荷(Qg,最大值为 2nC @ 4.5V)确保了其在频率较高的应用中的快速响应能力,提升了开关频率和效率。这种元件适用于快速开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器以及各种开关电路。
SI2333-TP 可广泛应用于各种电子和电力管理系统中,包括:
总之,SI2333-TP 是一款设计优化且功能强大的 P 通道 MOSFET,具有满足当今电子设备需求的关键性能和灵活性。无论是在便携式应用、开关电源,还是在更复杂的电力管理系统中,SI2333-TP 都能够为工程师提供高度可靠的解决方案。凭借其优异的性能规格及宽范围的应用领域,SI2333-TP 是现代电子工程师实时设计的理想选择。