SSM3K361R,LF

SSM3K361R,LF 产品概述

概述

SSM3K361R,LF是一款高性能的N沟道MOSFET，具有出色的电气特性和广泛的应用潜力。其设计旨在为功率开关、放大器和电源管理电路提供高效能和可靠性。这款MOSFET适用于高温环境，其工作温度可达175°C，适合于严苛的工业及汽车应用。

主要参数

• FET 类型: N 通道
• 工作温度: -55°C 到 175°C
• 最大漏源电压（Vdss）: 100V
• 连续漏极电流（Id）: 3.5A（在25°C环境下）
• 功率耗散: 1.2W (Ta)
• 最大导通电阻（Rds On）: 69 毫欧 @ 2A，10V
• 输入电容（Ciss）最大值: 430pF @ 15V
• 栅极电荷（Qg）最大值: 3.2nC @ 4.5V
• 栅源电压（Vgs）最大值: ±20V
• 阈值电压（Vgs(th)）最大值: 2.5V @ 100µA
• 封装类型: SOT-23F
• 品牌: TOSHIBA（东芝）

关键特性

SSM3K361R,LF的特性使其在市场上具有极大的竞争优势。其高速开关特性和低导通电阻优化了效率，减少了功耗，适用于要求苛刻的应用场景。此外，设计为表面贴装型封装（SOT-23F），使得其在PCB布局中更为灵活和节省空间，适应了现代电子设备对小型化和高密度设计的需求。

应用场景

该MOSFET广泛应用于以下领域：

1. 电源管理: 适用于DC-DC转换器、DC-AC逆变器等电源管理功能，能够有效提高转换效率。
2. 电机驱动: 可用于直流电机驱动应用，提供高电流输出以满足电机启动和运行的需求。
3. 开关电源: 适用于开关电源模块，在各种电压和电流条件下实现稳定工作。
4. 汽车电子: 可以用于汽车的功率控制系统，如电动门窗、灯光控制等，因其高可靠性和耐高温性能。

应用优势

1. 高温性能: 此MOSFET在高达175°C的工作温度下保持稳定性能，是其在高温环境中应用的一个重要优势。
2. 低电阻: 低导通电阻有助于减少在运行时的能量损耗，确保系统高效运行。
3. 高可靠性: 东芝品牌的历史和声誉保证了该产品的质量和可靠性，为客户提供了额外的信心。
4. 优化设计: 适用于高密度表面贴装技术，易于集成到现代电子产品中，提高了设计灵活性。

总结

SSM3K361R,LF是一款出色的N沟道MOSFET，具备高工作温度、高效率和低导通电阻的特点，尤其适合高温和高负荷的应用场景。其表面贴装型SOT-23F封装使得该元件在一些空间敏感的应用中更具备竞争力。无论是在工业电源、汽车电子还是其他需要高性能功率调节的应用中，SSM3K361R,LF都将是一个理想的选择。选择SSM3K361R,LF，意味着选择了高效能、可靠性和灵活性的完美结合。