功率(Pd) | 85W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 120pF@30V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@10V,20A |
工作温度 | -55℃~+175℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 50nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.05nF@30V | 连续漏极电流(Id) | 50A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
NCE6050A是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),专为满足高功率和高电流应用需求而设计。其最大功率为85W,具有60V的较高耐压能力,以及50A的额定电流,适合在各种电子和电气系统中广泛应用。
NCE6050A采用TO-220封装,这种封装形式以其优越的散热性能和安装便利性而受到广泛欢迎。TO-220封装能够有效地将器件产生的热量散发到外部环境,适合在功率较大的应用场合。这种封装通常用于需要良好散热的电源管理电路、开关电源和电机驱动器等。
NCE6050A的主要电气特性包括:
NCE6050A在多个领域均可发挥其优越的性能,具体应用场景包括但不限于:
NCE6050A的设计充分考虑了在现代电子设备中,效率和可靠性的重要性。其高耐压和高电流能力最大程度地增强了电路的稳定性,降低了电路故障发生的风险。此外,由于其优越的热管理性能,该MOSFET即使在高负载和高温环境下也能保持良好的工作状态。
总体而言,NCE6050A是一款具有出色性能的小型N沟道MOSFET,适合各种高功率应用,包括开关电源、电机驱动和现代自动化系统。其合理的价格和广泛的适用性,使其在电子产品制造商和工程师中备受青睐。选择NCE6050A,可以为您的项目提供稳定的功率控制和高效的电能管理,是现代电子设计的理想选择。