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- 商品编码： BM69418429复制
- 品牌： WILLSEMI(韦尔)复制
- 封装： DFN2x2-6L复制
- 包装： 编带复制
- 重量： 0.035g复制
- 描述： 场效应管(MOSFET) 1.45W 20V 3A 1个P沟道复制
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 3A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@2.5V |
| 耗散功率(Pd) | 1.45W |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V |
| 输入电容(Ciss) | 480pF |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 类型 | P沟道 |
| 输出电容(Coss) | 46pF |
WPM2006-6/TR 产品概述
产品名称
WPM2006-6/TR
产品类型
P沟道场效应管（MOSFET）
主要参数
- 功率额定值: 1.45W
- 漏源电压: 20V
- 漏电流: 3A
- 封装类型: DFN-6L (2x2mm)
生产厂商
WILLSEMI（韦尔）
产品简介
WPM2006-6/TR是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型DFN (Dual Flat No-lead)封装，尺寸为2x2mm。该产品设计用于高效电源管理和信号控制，特别适合在工控设备、消费电子、汽车电子以及电源适配器等应用中。
特性
高效能: WPM2006-6/TR的功率额定值为1.45W，能够在高达20V的漏源电压下工作，并具备3A的漏电流能力。这使得它适合在多种电流和电压条件下工作，能有效提升电路的整体性能和可靠性。
小型化设计: DFN-6L封装（2x2mm）具备极小的占板面积，适合高度集成的电子设计，这在现代电子产品中非常重要，特别是在手机、平板电脑及智能穿戴设备等要求轻薄的产品中。
良好的热性能: 该MOSFET采用有效的散热设计，具备良好的热管理能力，能够在高负载条件下运行而不会过热。
快速开关能力: WPM2006-6/TR具有较低的开关损耗，适合高频率开关应用，能够有效提高电路的效率，降低能源消耗。
稳定性和可靠性: 产品经过严格测试，确保在不同工作条件下的稳定性，适应各种环境，能够支持长久的使用。
应用领域
WPM2006-6/TR适用于多种应用，包括但不限于：
电源管理: 在开关电源(AC-DC)或DC-DC转换器的设计中，MOSFET组件被广泛使用。它们在电源的转换、控制和管理过程中能够有效降低能量损耗，提高变换效率。
负载开关: 在电池管理系统(BMS)、电动工具以及家用电器中作为负载开关使用，能够高效控制器件的开关状态，以延长电池的使用寿命。
信号开关: 由于具有快速开关特性，WPM2006-6/TR也适用于信号控制回路，可在较高的频率下稳定工作。
汽车电子: 在现代汽车中，电子部件日益增多，对高效、可靠的开关控制需求不断攀升，该MOSFET在汽车电子系统中的应用前景广阔。
竞争优势
与传统的BJT（双极型晶体管）相比，MOSFET在开关速度、功耗和热管理方面具备明显的优势。特别是在高频和高功率应用中，MOSFET不仅能够减少热损失，而且整体电路的响应速度更快。WILLSEMI作为知名品牌，凭借其先进的生产技术和严格的质量控制，为客户提供了高质量、高性能的器件。
结论
WPM2006-6/TRP沟道MOSFET以其小型封装、卓越的电气性能和广泛的应用前景，成为现代电子设计的重要元件。无论是在消费电子、汽车电子还是工控应用中，其高效、可靠的特性都使其成为理想选择。选择WPM2006-6/TR，确保为您的项目提供最佳的性能与效益。