圣禾堂在线
T2N7002BK,LM(T 产品实物图片
T2N7002BK,LM(T 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

T2N7002BK,LM(T

商品编码: BM69418481
品牌 : 
TOSHIBA(东芝)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.255
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.255
--
200+
¥0.165
--
1500+
¥0.144
--
3000+
¥0.127
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

T2N7002BK,LM(T参数

功率(Pd)320mW商品分类场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V类型1个N沟道

T2N7002BK,LM(T手册

empty-page
无数据

T2N7002BK,LM(T概述

T2N7002BK,LM(T) 产品概述

产品简介

T2N7002BK,LM(T) 是来自东芝(TOSHIBA)的一款 N 沟道绝缘栅场效应管(MOSFET),采用 SOT-23-3 封装。作为一种高效能的开关元件,该MOSFET广泛应用于各种电子设备中,尤其适用于低功耗、高速开关的场合。其设计和制造旨在满足现代电子设备对功率效率、体积小以及散热性能的要求。

产品特点

  1. 低导通电阻(RDS(on)): T2N7002BK,LM(T) MOSFET 突出的特点是其极低的导通电阻,这使得其在通电状态下能显著降低功耗。这一特性特别适合用于电源管理和电机驱动等场合,有效减少系统发热。

  2. 高开关频率: 由于其 优良的电气特性,T2N7002BK,LM(T) MOSFET 可以支持高开关频率的操作,这意味着它能够更快地切换开关状态,从而提升系统的整体性能和响应速度。

  3. 体积小巧: 采用 SOT-23-3 封装的 T2N7002BK,LM(T) 在空间上占用极小,这使得它在紧凑型设计和轻量化产品中极具优势,尤其适合便携设备和小型电子产品。

  4. 良好的热管理能力: 除了低电阻特性,MOSFET 的热设计也非常重要。T2N7002BK,LM(T) 被设计为能在一定程度上有效散热,降低因高功率应用引起的温升问题,使其在高负荷条件下保持稳定性。

  5. 抗干扰能力: 高品质的绝缘栅结构使得该MOSFET在恶劣的电磁环境下运行也比较稳定,广泛应用于工业、汽车电子及消费电子等领域。

应用领域

  1. 电源管理: T2N7002BK,LM(T) MOSFET 常用于开关电源(SMPS)、DC-DC变换器及其他电源管理电路中。其低导通电阻与高开关速度使其在高效能电源设计中表现出色。

  2. 电动汽车: 在电动汽车及其充电设备中,T2N7002BK,LM(T) 可用于电机控制器和电池管理系统。其高效率与可靠性在电动交通工具中尤为重要。

  3. 消费电子产品: 随着智能家居和可穿戴设备的普及,T2N7002BK,LM(T) MOSFET 常被用于各类消费电子产品,如智能手机、平板电脑以及各种便携式充电设备中。

  4. 工业控制系统: 由于其优异的电气特性,T2N7002BK,LM(T) 可用于自动化设备、传感器接口平台及其他控制系统中,确保系统的工作效率与稳定性。

结论

T2N7002BK,LM(T) N 沟道 MOSFET 是一款在近年来备受青睐的电子元器件,凭借其低导通电阻、小体积及高效能,广泛应用于电源管理、电动汽车、消费电子以及工业控制等多个领域。随着现代科技的不断进步,对高效率和小型化的需求持续上升,T2N7002BK,LM(T) 将继续在电子设计与应用中发挥关键作用。通过选择合适的 MOSFET 类型,设计工程师能够有效提升产品性能,满足市场对高效、可靠解决方案的需求。