类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 37A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 30mΩ@10V,24A |
功率(Pd) | 89.2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 42nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.84nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 130pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
AP50T10GP 是一款由 APEC(富鼎)公司制造的高性能 N 沟道 MOSFET,具备出色的电流承载能力和高耐压特性,适合各种高效能电源转换和开关应用。这款元件采用 TO-220 封装,能够提供良好的散热性能,支持大功率应用场合下的使用。
AP50T10GP MOSFET 的设计使其非常适合以下应用场景:
选择 AP50T10GP MOSFET 时,需要考虑以下几个方面:
AP50T10GP MOSFET 是一款设计优越、性能卓越的开关元件,适用于广泛的电源管理和控制应用。凭借其出色的电流承载能力和耐压特性,在现代电力电子技术中扮演着越来越重要的角色。选择 AP50T10GP,将为您的设计和产品提供高效稳定的电源解决方案。无论是在业余项目,还是在工业级应用中,AP50T10GP 都将是一个值得信赖的选择。