存储器类型 | 非易失 | 存储器格式 | 闪存 |
技术 | FLASH - NOR | 存储容量 | 8Mb (1M x 8) |
存储器接口 | SPI | 时钟频率 | 104MHz |
写周期时间 - 字,页 | 3ms | 电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.209",5.30mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
W25Q80DVSSIG是由华邦电子(Winbond)生产的一款高性能8Mb(1M x 8)非易失性NOR闪存存储器。该器件采用SPI(串行外设接口)进行数据传输,具有高达104MHz的时钟频率,特别适合需要高速存储和读取的应用场景。W25Q80DVSSIG在高温和低温环境下均能稳定工作,工作温度范围为-40°C至85°C,满足各种恶劣环境的需求。
作为一种非易失性存储器,W25Q80DVSSIG能在断电后保持数据,适用于各种需要保留数据的应用,如数据记录、设置存储及固件升级等。FLASH - NOR技术使得该器件在数据读取时具有较快的速率和较高的灵活性,由于其随机存取的特性,可以在不需要先擦除的情况下直接写入新数据,大大提高了操作的便利性和效率。
W25Q80DVSSIG的存储容量为8Mb,意味着其可以存储1M字节的数据(每字节包含8位数据)。设备的写周期时间为3ms,这使得它在需要快速写入操作的应用中也具备了良好的响应时间。此外,该闪存的供电电压范围为2.7V至3.6V,适应了较广泛的电源设计需求,同时也具备低功耗特性,适合移动设备和低功耗应用场合。
该设备的工作温度范围为-40°C至85°C,适合各种工业、医疗和汽车电子等应用场合,确保在极端环境下的可靠性和稳定性。这一特性使得W25Q80DVSSIG成为温度敏感应用的理想选择。
W25Q80DVSSIG采用8-SOIC(0.209"宽度,5.30mm)封装,适合表面贴装(SMD)技术,便于在现代电子产品中进行快速组装和焊接。小巧的封装设计不仅节省了PCB空间,同时也保障了良好的散热性能。
W25Q80DVSSIG广泛应用于各种领域,包括:
W25Q80DVSSIG以其高性能的读取和写入速率,广泛的工作温度范围,以及适应低电压的优点,成为市场上极具竞争力的闪存存储器。无论是在高温还是低温环境中,W25Q80DVSSIG稳健的性能和可靠的数据保留能力,使它在各种电子应用中均有着广泛的适用性和发展前景。其优越的性价比和可靠性,使得设计工程师能够更灵活地选择合适的存储解决方案,助力创新型电子产品的研发与生产。