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W25Q80DVSSIG
- 商品编码： BM69418704复制
- 品牌： WINBOND(华邦)复制
- 封装： SOIC-8-208mil复制
- 包装： 编带复制
- 重量： 0.465g复制
- 描述： NOR FLASH 8Mbit SPI 3ms 2.7V~3.6V复制
W25Q80DVSSIG参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 接口类型 | SPI |
| 存储容量 | 8Mbit |
| 时钟频率(fc) | 104MHz |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 待机电流 | 10uA |
| 擦写寿命 | 100000次 |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 页写入时间(Tpp) | 3ms |
| 块擦除时间(tBE) | 150ms@(64KB) |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护 |
W25Q80DVSSIG手册
W25Q80DVSSIG概述
W25Q80DVSSIG 产品概述
W25Q80DVSSIG是由华邦电子（Winbond）生产的一款高性能8Mb（1M x 8）非易失性NOR闪存存储器。该器件采用SPI（串行外设接口）进行数据传输，具有高达104MHz的时钟频率，特别适合需要高速存储和读取的应用场景。W25Q80DVSSIG在高温和低温环境下均能稳定工作，工作温度范围为-40°C至85°C，满足各种恶劣环境的需求。
存储器类型与特点
作为一种非易失性存储器，W25Q80DVSSIG能在断电后保持数据，适用于各种需要保留数据的应用，如数据记录、设置存储及固件升级等。FLASH - NOR技术使得该器件在数据读取时具有较快的速率和较高的灵活性，由于其随机存取的特性，可以在不需要先擦除的情况下直接写入新数据，大大提高了操作的便利性和效率。
性能参数
W25Q80DVSSIG的存储容量为8Mb，意味着其可以存储1M字节的数据（每字节包含8位数据）。设备的写周期时间为3ms，这使得它在需要快速写入操作的应用中也具备了良好的响应时间。此外，该闪存的供电电压范围为2.7V至3.6V，适应了较广泛的电源设计需求，同时也具备低功耗特性，适合移动设备和低功耗应用场合。
工作温度范围
该设备的工作温度范围为-40°C至85°C，适合各种工业、医疗和汽车电子等应用场合，确保在极端环境下的可靠性和稳定性。这一特性使得W25Q80DVSSIG成为温度敏感应用的理想选择。
封装与安装类型
W25Q80DVSSIG采用8-SOIC（0.209"宽度，5.30mm）封装，适合表面贴装（SMD）技术，便于在现代电子产品中进行快速组装和焊接。小巧的封装设计不仅节省了PCB空间，同时也保障了良好的散热性能。
应用领域
W25Q80DVSSIG广泛应用于各种领域，包括：
- 消费电子：如智能手机、平板电脑和数码相机等便携式设备。
- 嵌入式系统：在工业控制、自动化设备及家电中用于存储固件和配置数据。
- 汽车电子：能够在汽车信息娱乐系统和传感器应用中提供快速稳定的数据存储支持。
- 通信设备：用于数据包的缓存和临时存储，提高设备的数据处理能力。
- 医疗设备：在便携式医疗仪器中提供医用数据的存储和访问。
总结
W25Q80DVSSIG以其高性能的读取和写入速率，广泛的工作温度范围，以及适应低电压的优点，成为市场上极具竞争力的闪存存储器。无论是在高温还是低温环境中，W25Q80DVSSIG稳健的性能和可靠的数据保留能力，使它在各种电子应用中均有着广泛的适用性和发展前景。其优越的性价比和可靠性，使得设计工程师能够更灵活地选择合适的存储解决方案，助力创新型电子产品的研发与生产。