晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 6A |
集射极击穿电压(Vceo) | 100V | 功率(Pd) | 24W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 30@5A,2V | 特征频率(fT) | 130MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 500nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 180mV@5A,500mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZX5T853GTA 是一款由美台 Diodes Incorporated 生产的高性能 NPN 晶体管,采用 SOT-223 封装,专为各种电子应用而设计。此种双极型晶体管(BJT)以其优良的电流放大性能、较低的饱和压降以及广泛的工作温度范围,使其在现代电子设计中具有广泛的应用潜力。
ZX5T853GTA 采用表面贴装型封装(SOT-223),这种设计不仅可以节省PCB空间,便于自动化生产和替换,还可以提高散热性能,有利于在高功率使用情况下的稳定运行。SOT-223 封装也使其在小体积产品设计中表现出色,扩展了其在消费电子、汽车电子、便携式设备以及其他工业应用中的适用性。
ZX5T853GTA 晶体管广泛应用于多种领域,具体包括:
ZX5T853GTA 作为一款具有高性能和高可靠性的 NPN 晶体管,结合其优异的电气参数与广泛的应用功能,成为了设计师和工程师在构建各种电子产品时的重要选择。无论是在高频应用还是在高功率驱动领域,ZX5T853GTA 都能够满足现代电子设备对元器件性能的严格要求。通过合适的电路设计与优化,用户能够充分发挥此器件的特点,在多种复杂应用中实现卓越的性能。