类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 23.6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@10V |
功率(Pd) | 3.8W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 12nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.377nF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 68pF@30V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
DMPH6050SK3Q-13 是一款由美台(DIODES)推出的高性能 P 通道 MOSFET,封装类型为 TO-252(也称 DPAK),专为各类高效功率应用而设计。该器件的主要特点包括宽电压范围、高电流承载能力及良好的导电性能,是现代电子设备中不可或缺的重要元件。
DMPH6050SK3Q-13 使用 TO-252 封装形式,这种表面贴装器件具有良好的散热性能和较小的安装面积。TO-252 封装的设计使得这种MOSFET 更加便于集成入现代电子电路中,优化 PCB 布局和空间使用。
DMPH6050SK3Q-13 适用于多个领域,包括:
作为一款 P 通道 MOSFET,DMPH6050SK3Q-13 具有较低的开关损耗和导通损耗,适合高效能电路设计。其设计符合现代电子产品对功率效率的需求,尤其是在需要快速切换及热量管理的应用中表现卓越。
总之,DMPH6050SK3Q-13 是一款性能突出的 P 通道 MOSFET,适用于广泛的电子应用。凭借其高电压和电流能力,以及很好的电气特性,使其在功率管理及负载开关领域中成为一个理想的选择。无论是在消费电子、工业自动化,还是电动工具上,其卓越的性能均能满足市场不断增长的需求。