类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 3.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 350mΩ@10V,3.9A |
功率(Pd) | 10.2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 7.1nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 424pF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 29.8pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZXMP10A17KTC 是一款高性能的 P 通道 MOSFET(场效应晶体管),由知名电子元器件供应商 DIODES(美台)生产。该器件专为低功率开关和线性应用设计,具有优良的电气特性和稳定的工作性能。其特定的技术参数使其广泛用于各种电子设备中,满足严苛的行业需求和应用场景。
ZXMP10A17KTC 适用于多种应用场合,以下是一些常见的应用示例:
在使用 ZXMP10A17KTC 作为设计的一部分时,需要注意以下几点:
ZXMP10A17KTC 是一款功能强大且可靠的 P 通道 MOSFET,适用于多种高效能电子应用。凭借其优秀的电气特性、宽广的工作温度范围和优良的散热性能,它能够满足现代电子设计的要求。设计工程师可以凭借其稳定的性能和强大的应用能力,在产品开发中实现更高的灵活性和效率。无论是在电源管理、开关电源,还是在驱动电路中,ZXMP10A17KTC 都是一款值得信赖的选择。