晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 350mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@300mA,1.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 700mV@500mA,50mA |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
BC817-25Q-7-F是一款高性能NPN型双极性晶体管(BJT),由著名的半导体制造商DIODES(美台)精心设计与制造,适用于各种电子应用场景。此款晶体管尤其适合用于低功耗、高频率的开关和放大电路中。其小巧的SOT-23封装使其特别适合高密度的PCB设计,为现代电子设备提供出色的性能和可靠性。
电流与电压特性:
饱和压降与电流增益:
功率与频率特征:
工作温度范围:
封装与安装类型:
BC817-25Q-7-F广泛应用于多个领域,包括但不限于:
BC817-25Q-7-F是一款高度集成且具有卓越性能的NPN型晶体管,凭借其优异的电气特性和宽广的工作温度范围,成为电子工程师和设计师的理想选择。无论是在需要低功耗、高频率和高效率的应用中,还是在更复杂的系统中,该器件都能提供卓越的性能和可靠性,是推动现代电子技术不断进步的关键元器件之一。