晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 225mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@100mA,1.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 700mV@500mA,50mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
BC807-16LT1G 是一款由安森美(ON Semiconductor)制造的高性能PNP型晶体管,适用于各类电子电路的开关和放大应用。这款三极管具有优良的电气性能和广泛的应用范围,尤其在高频和高温环境下能够可靠工作。以下是对其主要参数及应用场景的详细分析。
BC807-16LT1G 采用 SOT-23 封装,适合表面贴装技术(SMT)。这种小型封装的设计使得它能够在空间有限的 PCB 设计中有效利用有利于散热与电气性能的高效布局。SOT-23 封装不仅提供了紧凑的尺寸,还有效降低了对焊接过程的要求,为用户带来更高的制造灵活性。
BC807-16LT1G 的最大集电极电流可达 500 mA,使其适用于中等功率的开关与放大应用。同时,它的最大集射极击穿电压为 45 V,适合多种负载条件下的稳定工作。此外,它的跃迁频率高达 100 MHz,确保在高频电路中,同样能保持良好的信号传输质量。
其中,饱和压降 Vce(sat) 在 500 mA 时为 500 mV,这不仅降低了功耗,还提升了整体能量效率;同时,针对更小的电流(50 mA),饱和电压仅为 700 mV,进一步保证了低信号下的高效性能。它的低截止电流 ICBO 为 100 nA,确保在关闭状态下几乎没有漏电流,从而提高电路的功耗效率。
BC807-16LT1G 可广泛应用于不同领域,包括但不限于:
BC807-16LT1G 作为一款性能卓越的PNP型晶体管,其丰富的规格和坚固的设计使其成为中低功率应用的良好选择。其多样的应用场景和良好的电气性能,尤其适合用于需要高开关频率和紧凑设计的现代电子产品。通过采用高品质的安森美制造工艺,BC807-16LT1G 不仅提供可靠性,还确保了良好的兼容性,使其成为电子设计工程师在选择元器件时的重要考量对象。无论是在消费电子、工业自动化,还是汽车电子中,BC807-16LT1G 都是一个值得信赖的解决方案。