集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 200mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 35@10mA,10V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 2.5V@10mA,0.3V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 1.2V@100uA,5V |
输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 200mV | 输入电阻 | 10kΩ |
电阻比率 | 1 | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DTA114EET1G 是由安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能、低功耗的数字晶体管,属于PNP类型。该器件被广泛应用于各种电子信号放大和开关电路中,特别适合需要预偏压配置以确保高效运行的电路设计。DTA114EET1G 以其优越的电气性能和紧凑的封装形式,成为手机、便携式电子设备以及其他消费电子产品中的理想选择。
DTA114EET1G 采用表面贴装型封装,采用 SC-75(也称为 SOT-416)和 UMT3。本款器件的紧凑设计非常适合空间有限的应用,同时为开发者提供便于堆叠和自动装配的优势。
DTA114EET1G 数字晶体管凭借其小巧的体积与强大的电气性能,是现代电子设计中不可或缺的组件之一。其低功耗、高电流增益及优异的饱和特性,使其在众多应用领域中得到广泛认可。对于开发者而言,选择 DTA114EET1G 无疑是实现高效、可靠电路设计的重要一步。无论是消费电子、工业控制,还是LED驱动领域,DTA114EET1G 都能够提供卓越的性能,为下一代电子产品的创新提供了坚实的基础。