
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个PNP-预偏置 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 晶体管类型 | PNP |
| 直流电流增益(hFE) | 35 |
| 最小输入电压(VI(on)) | 2.5V@10mA,0.3V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 800mV@100uA,5.0V |
| 输入电阻 | 10kΩ |
| 电阻比率 | 1 |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
DTA114EET1G 是由安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能、低功耗的数字晶体管,属于PNP类型。该器件被广泛应用于各种电子信号放大和开关电路中,特别适合需要预偏压配置以确保高效运行的电路设计。DTA114EET1G 以其优越的电气性能和紧凑的封装形式,成为手机、便携式电子设备以及其他消费电子产品中的理想选择。
DTA114EET1G 采用表面贴装型封装,采用 SC-75(也称为 SOT-416)和 UMT3。本款器件的紧凑设计非常适合空间有限的应用,同时为开发者提供便于堆叠和自动装配的优势。
DTA114EET1G 数字晶体管凭借其小巧的体积与强大的电气性能,是现代电子设计中不可或缺的组件之一。其低功耗、高电流增益及优异的饱和特性,使其在众多应用领域中得到广泛认可。对于开发者而言,选择 DTA114EET1G 无疑是实现高效、可靠电路设计的重要一步。无论是消费电子、工业控制,还是LED驱动领域,DTA114EET1G 都能够提供卓越的性能,为下一代电子产品的创新提供了坚实的基础。