晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 300mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 420@100mA,5.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 5uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA,5.0mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
BC847CLT1G是一款由安森美(ON Semiconductor)制造的NPN型晶体管,属于小信号晶体管系列。它以其出色的性能和多样的应用场景受到广泛青睐,特别是在低功耗电路设计和信号放大领域。该器件采用SOT-23-3(TO-236)封装,适合表面贴装技术(SMD),具备极佳的空间利用率和较低的热阻,使其在现代电子产品中非常理想。
BC847CLT1G由于其高增益和低噪声特性,非常适合用于放大器和开关电路。具体应用包括:
SOT-23-3封装尺寸小巧,通常用于空间有限的现代电子设计中。其表面贴装特性使得该器件在自动化生产中便于装配、调试和维修,适合大规模生产应用。
在电子元器件市场上,BC847CLT1G以其优越的性能和专注于小信号处理的设计,形成了明确的产品竞争力。它不仅能够满足一般应用的需要,还在小型便携式设备、音频产品及各种Industrial应用中展现出卓越的性能表现。作为安森美的产品,用户可获得可靠的品质保证和完善的技术支持。
综合来看,BC847CLT1G作为一种功能强大且适应性广泛的NPN型小信号晶体管,其高增益、低功耗和适用温度范围的广泛设计,使其成为现代电子设备中一个不可或缺的元器件。无论是在消费电子、工业控制,还是在音频信号处理领域,其出色的特性和稳定性都使其成为设计工程师们的首选。选择BC847CLT1G,意味着您将获得一款高性能、可靠且经济实用的电子解决方案。