晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 300mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 110@2.0mA,5.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 5uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@100mA,5.0mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
BC850CLT1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能 NPN 型双极型晶体管(BJT),广泛应用于中低功率放大和开关电路中。作为一种表面贴装型器件,它具有紧凑的 SOT-23-3 (TO-236)封装,适合于空间有限的电子设备。这款晶体管的工作温度范围从 -55°C 到 +150°C,使其在恶劣的环境条件下依然能够稳定工作,适合于汽车电子、工业控制以及消费电子等领域。
BC850CLT1G 使用 SOT-23-3(TO-236)交通的封装方式,具有小型化和表面贴装设计,便于现代高密度电路板的集成。其紧凑的尺寸特性有助于降低组件占据的空间,提高整体产品的设计灵活性和可布局性。
BC850CLT1G 凭借其优异的性能,广泛应用于以下领域:
BC850CLT1G 以其卓越的电气性能和高可靠性,成为了现代电子设备中常用的 NPN 型晶体管之一。设计工程师可以依靠其稳定性和高效能,满足多种应用场景中的需求。
其高增益、低饱和压降以及广泛的工作温度范围,确保了在各种操作条件下的优异表现。这款晶体管的多功能性使其不仅适用于简单的开关电路,还能在复杂的放大电路中发挥重要作用。无论是在汽车、工业还是消费领域,都可发挥其应有的性能。结合其紧凑的封装特性,BC850CLT1G 是解决现代电子应用中设计挑战的理想选项。