二极管配置 | 独立式 | 正向压降(Vf) | 1.25V@150mA |
直流反向耐压(Vr) | 75V | 整流电流 | 200mA |
反向电流(Ir) | 5nA@75V | 反向恢复时间(trr) | 3us |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
产品概述:BAS116LT1G 开关二极管
一、产品简介
BAS116LT1G是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的高性能开关二极管,其设计特别适用于高频开关应用。该二极管具备出色的电气特性和宽工作温度范围,适合各种电子电路中的信号整流和开关操作。BAS116LT1G采用了表面贴装技术(Surface Mount Technology,SMT)封装,便于自动化生产和可靠焊接,特别适合高密度电路板设计。
二、主要参数
电流和电压特性
开关特性
反向泄漏电流: 在75V的反向电压下,反向泄漏电流仅为5nA,表明该二极管在断开状态下具有极低的漏电特性,从而帮助提高整个电路的能量效率。
电容特性: 在0V和1MHz频率下,该二极管的电容值为2pF,这对于高频信号处理应用是相对较低的,减小了对信号传输速度的影响。
三、工作温度
BAS116LT1G的工作温度范围跨度从-55°C至150°C,使其能够在各种恶劣环境下稳定工作。这样的温度适应性非常适合汽车电子、工业控制和其它高温工作场景。
四、封装和安装
BAS116LT1G采用SOT-23-3(TO-236)封装,这种紧凑的封装形式非常适合现代电子产品对于小型化的需求。同时,表面贴装型的设计便于快速高效的贴装大规模生产,极大地降低了生产成本。
五、应用领域
BAS116LT1G广泛应用于各种需要快速切换和整流的电子场合,包括但不限于:
六、总结
BAS116LT1G开关二极管凭借其低正向电压、小信号能力、宽广的工作温度范围及高频特性,使其成为高效、可靠的电子元件,适用于现代电子设备的多种应用方案。随着电子技术的发展,选择合适的开关二极管是实现高效能电路设计的关键,而BAS116LT1G毫无疑问是市场中一个优秀的选择。其优异的电气特性与可靠性,可以为设计人员提供强有力的支持,确保其产品在竞争激烈的市场中脱颖而出。