类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 500V |
连续漏极电流(Id) | 16A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 370mΩ@8A,10V |
功率(Pd) | 50W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 51nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.297nF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
AOTF16N50 是一款由 AOS (Alpha & Omega Semiconductor) 生产的 N 沟道场效应管 (MOSFET),采用了 TO-220F 封装。这款 MOSFET 的主要特点包括:额定电压 500V、最大连续电流 16A 和额定功率 50W。这些规格使得 AOTF16N50 成为高电压和高电流电路的理想选择,广泛应用于电源管理、工业控制和电机驱动等领域。
这些参数显示了 AOTF16N50 的高效性能,适合在高温和高电压条件下稳定工作。
AOTF16N50 的应用场景非常广泛,主要包括以下几个方面:
在选择 AOTF16N50 作为设计元件时,建议关注以下几点:
AOTF16N50 是一款高性能的 N 沟道场效应管,适用于多种高压电源和功率控制应用,因其优越的电气特性和可靠的功率处理能力,能够满足现代电子设备对高效能和高可靠性的要求。选择 AOTF16N50,不仅能够提高系统的整体性能,还能为产品设计提供灵活性和可扩展性。