类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 8V |
连续漏极电流(Id) | 10A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8.2mΩ@4.5V,2A |
功率(Pd) | 890mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 800mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.1nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.06nF@4V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 350pF@4V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
简介
DMP1011UCB9-7是一款高性能、低功耗的P通道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于需要高效、可靠的开关和放大器电路中。该元件由知名品牌DIODES(美台)生产,并采用U-WLB1515-9的表面贴装封装,具有出色的电气性能以及广泛的工作温度范围,适合各种电子应用。
基础参数
应用领域
DMP1011UCB9-7适用于多个领域,尤其是在需要高效开关控制的场景内,包括:
优点
选择DMP1011UCB9-7作为设计中的关键电子元器件,具有以下几个显著优点:
总结
DMP1011UCB9-7凭借其卓越的电性能和广泛的应用潜力,是现代电子产品中不可或缺的组件。无论是在电源管理、负载开关还是信号放大领域,DMP1011UCB9-7都能提供可靠的解决方案和高效率的操作性能,使其成为设计师在选择MOSFET时的理想选择。随着电子设计日益向小型化、高效率和高性能的发展趋势,该MOSFET将在未来的产品中继续发挥出重要作用。