类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 55V |
连续漏极电流(Id) | 31A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 60mΩ@10V,16A |
功率(Pd) | 110W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 63nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.2nF@25V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
IRF5305PBF 是一款高性能的 P 通道场效应管(MOSFET),由著名的半导体制造商英飞凌(Infineon)制造。该产品采用了金属氧化物技术,广泛应用于电力管理、电源开关和其他要求高效率和高可靠性的电路设计。IRF5305PBF 的额定漏源电压为 55V,连续漏极电流可达 31A,结合卓越的导通电阻和高功率处理能力,成为各种电子应用的理想选择。
IRF5305PBF 由于其优秀的电气特性和广泛的工作温度范围,适用于如下应用:
高效能:通过低导通电阻,IRF5305PBF 能在高电流下运行而产生较小的功耗,从而提高整体系统的效率。
高功率处理能力:最大功率耗散可达到 110W,适合高功率应用,确保设备的安全与稳定。
宽温范围:可在极端温度下工作,使其在严苛的环境条件下也能充分发挥性能,适应多种应用场景。
便捷的封装:TO-220AB 封装使其安装简便,并适用于热管理,降低了系统的整体成本。
IRF5305PBF P 型 MOSFET 的多种优越电气特性与高可靠性,使其适合于多种电子应用。无论是在电源管理、汽车电子或是家用电器中,IRF5305PBF 都能够发挥重要作用。对于需要高效率和高功率处理能力的系统设计者,IRF5305PBF 是一个理想的选择。