集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 200mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 35@5mA,10V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.8V@10mA,0.3V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 1.2V@100uA,5V |
输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 200mV | 输入电阻 | 10kΩ |
电阻比率 | 1 | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DTC114EET1G是由安森美(ON Semiconductor)生产的一款数字晶体管,采用NPN-预偏置结构,具有优异的电气性能和可靠性。该器件主要应用于开关和放大电路,为电子产品的设计提供了灵活的解决方案。其紧凑的SC-75(SOT-416)封装适合于空间有限的应用场景,提高了整体设计的集成度。
DTC114EET1G适用于多种电子电路设计,包括但不限于:
其高效的性能和稳定的参数使其成为各种商业和工业应用的理想选择。
在应用DTC114EET1G时,建议工程师注意以下几点:
总的来说,DTC114EET1G是一款性能强大、应用灵活的NPN-预偏置数字晶体管,适合多种电子应用。凭借其优良的电气特性、紧凑的尺寸及高集成度,非常适合现代电子产品不断向小型化和高性能发展的趋势。安森美凭借其在元器件领域的丰富经验,为工程师提供了高可靠性的产品选择,帮助他们开发出功能更强大的电子设备。使用DTC114EET1G,您将能够在设计中获得更好的性能和更高的可靠性。