RQ5E035BNTCL
RQ5E035BNTCL参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 37 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.5A（Ta） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 250pF @ 15V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
RQ5E035BNTCL手册
RQ5E035BNTCL概述
RQ5E035BNTCL 产品概述
RQ5E035BNTCL 是一款由知名电子元器件制造商 ROHM（罗姆）生产的高性能 N 通道 MOSFET。这款表面贴装型（SMD）元器件在现代电子设备中广泛应用，其设计主要针对于需要优秀导通性能和低功耗的场合。它的基本特性包括30V的漏源电压（Vdss）、3.5A的连续漏极电流（Id）、以及最大功率耗散限定在1W等，这些参数使得该产品在结构上相对紧凑，适合于各种电子电路的使用需求。
主要参数特点
安装类型与封装
RQ5E035BNTCL 采用表面贴装型封装规格TSMT3，适合现代电子设备中越来越小的PCB设计。表面贴装技术（SMT）使得元器件在生产过程中的安装更为高效，进一步提升了电子线路的集成度。导通电阻（Rds On）
该元器件在3.5A漏电流和10V栅源电压下，其导通电阻的最大值为37毫欧。这一低阻值意味着在工作状态下可显著降低功耗和热量产生，从而提高整体电路的能效。栅极驱动电压
RQ5E035BNTCL在不同的栅源电压条件下（4.5V和10V）仍然保持良好的导通性能，并在10V下展示出最小的导通电阻，有助于设计人员在选择驱动电压时的灵活性。输入电容（Ciss）
在15V的工作状态下，该FET的输入电容最大值为250pF。输入电容较小使得其在高开关频率应用中表现优异，能够快速响应，从而实现高效的开关控制。栅极电荷（Qg）
最大栅极电荷（Qg）为6nC（在10V时），这个低数值表明该器件具有优秀的开关速度，适用于快速PWM控制等高频率运作场合。温度范围
RQ5E035BNTCL的工作温度范围高达150°C，意味着它在高温环境下的稳定性和可靠性，适用于多种工业应用，如汽车电子和电源管理等领域。
应用场景
RQ5E035BNTCL的技术规格使其在多个领域具备广泛的应用潜力。其低导通电阻和高额定电流使其成为电源管理系统和DC-DC转换器的理想选择；在便携式电子设备中，它能够有效降低功耗，并延长电池使用寿命。此外，由于其小型封装，适合在空间紧张或对重量有限制的应用中使用，如移动设备、可穿戴设备以及其他消费电子产品。
小结
总体来说，RQ5E035BNTCL是一款高性能的N通道MOSFET，结合了低导通电阻、高耐压和超小型封装的特性，适合广泛的电子应用。无论是在电源管理、电机驱动还是高频开关场合，该器件都表现出色，能够满足行业对效率、性能和可靠性的高要求。随着科技不断进步和市场对高效能产品的需求增加，RQ5E035BNTCL无疑将在各类电子产品设计中发挥关键作用。