通道数 | 1 | 电压 - 隔离 | 3750Vrms |
电流传输比(最小值) | 100% @ 5mA | 电流传输比(最大值) | 600% @ 5mA |
上升/下降时间(典型值) | 5µs,3µs | 输入类型 | DC |
输出类型 | 晶体管 | 电压 - 输出(最大值) | 80V |
电流 - 输出/通道 | 50mA | 电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 1.2V |
电流 - DC 正向 (If)(最大值) | 60mA | Vce 饱和压降(最大) | 200mV |
工作温度 | -55°C ~ 110°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 4-SOIC(0.173",4.40mm 宽) |
IS281GB 是一款高性能的晶体管输出光耦合器,广泛用于需要电气隔离的应用场景,主要用于信号传输和控制。该光耦合器由ISOCOM(英国安数光)制造,具备卓越的电气参数,适合多种电子设备和工业控制系统。
IS281GB 具有一个通道,电气隔离电压高达3750Vrms,这确保了在高压应用中,输入和输出之间的安全隔离,保护下游电路免受高电压影响。其设计特别适合于要求高可靠性和长寿命的应用,如电机控制、数据采集系统以及家用电器的控制电路等。
该器件的输出可以提供高达50mA的电流,能够驱动多种负载,同时支持输入类型为直流(DC),使其在多种信号源中表现出色。对于应用中常见的输出需求,IS281GB在输出电压方面的最大值可达到80V,适合在电压范围较宽的系统中使用。
IS281GB 的电流传输比(CTR)在5mA时的最小值为100%,最大值可达600%,展示了其在传输信号时的高效率。此外,该器件的上升时间和下降时间分别为5µs和3µs,确保了快速信号转化,在高频应用中具有良好的响应能力。
正向电压(Vf)在典型情况下为1.2V,适合与多种逻辑电平设备兼容,令集成更加简单而不易出现信号失真。DC正向电流的最大值为60mA,这为光耦的驱动能力提供了灵活的设计空间,方便设计师根据不同的项目需求进行配置。
在功耗方面,IS281GB的Vce饱和压降最大为200mV,这在功率管理上提供了较低的能耗,有助于整体电路的效率提升。在需要长时间工作的环境中,优秀的功率性能使其适用于多种工业环境。
IS281GB的工作温度范围非常宽广,从-55°C到110°C。这样的设计使其在高温或低温环境下依然能够保持稳定的性能,适合航天、汽车、医疗等各种极端条件下的应用。
该光耦合器采用表面贴装型(SMD)设计,封装为4-SOIC(0.173",4.40mm宽),不仅能够满足现代板级电路的设计要求,还便于大规模生产的自动化贴装和焊接。其紧凑的封装尺寸有助于节省电路板空间,适合于各种需要紧凑布局的电子产品。
由于其卓越的电气特性和高隔离性能,IS281GB在多个领域都有着广泛的应用,比如:
IS281GB 是一款高效、可靠的光耦合器,凭借其优越的性能参数和多样化的应用场景,成为现代电子设计中不可或缺的关键元器件之一。对于追求高隔离度与信号完整性的设计师来说,IS281GB无疑是一个值得信赖的选择。无论是在高频率应用,还是在恶劣环境下,它都能稳定工作,保障系统的安全与效率。