SI2393DS-T1-GE3

SI2393DS-T1-GE3 产品概述

SI2393DS-T1-GE3是Vishay Siliconix公司推出的一款P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其属于TrenchFET® Gen IV系列。这款器件以其高效的性能和卓越的热管理特性，广泛应用于各种现代电子设计中。

1. 基本参数

SI2393DS-T1-GE3采用了小型化的SOT-23-3封装，便于在紧凑的电路板上进行表面贴装。这种封装形式不仅提升了产品的热管理能力，还有效降低了寄生电容，从而改善了高频特性的表现。其额定功率耗散为1.3W（在环境温度为25°C时），并在结温较高的情况下（即集热条件下）可达2.5W。

2. 电气特性

该MOSFET在25°C温度下的连续漏极电流分别为6.1A（在环境温度下Ta）和7.5A（在结温Tc条件下）。SI2393DS-T1-GE3的漏源电压（Vdss）为30V，最大驱动电压分别可为4.5V和10V。这一特性使得其在低压高电流的应用场合具有优秀的适应性，尤其适合用于电源开关和电机控制等场合。

其导通电阻（Rds(on)）在不同的栅极源电压（Vgs）下表现出优异的性能：在5A电流和10V的Vgs下，最大导通电阻为22.7毫欧。这确保了在正常工作条件下，器件能保持较低的电能损耗，提高了效率。

3. 栅极特性

SI2393DS-T1-GE3的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为2.2V（在250µA的条件下测试），相对较低的阈值电压使得其能够在较低的电压下进行开关操作，进一步降低了开关损耗。其最大栅极电压可达±16V，能够支持更广泛的驱动电压范围。

栅极电荷（Qg）为25.2nC（在10V的条件下），它是影响开关频率的重要参数。较低的栅极电荷意味着在高频操作时，该MOSFET具有更快速的开关能力和良好的响应时间，从而有助于提升整体系统效率。

4. 应用场景

SI2393DS-T1-GE3以其卓越的性能和高可靠性，广泛应用于各种领域，包括但不限于：

• DC-DC转换器
• 智能电源管理
• LED驱动
• 电机控制
• 开关电源（SMPS）
• 负载开关设计

特别是在需要高效率和低热量发散的应用中，SI2393DS-T1-GE3能够提供理想的解决方案。

5. 环境与耐受性

该产品具备宽广的工作温度范围，从-55°C到150°C，确保在恶劣环境下的可靠工作。在多个行业的应用条件下，这一温度稳定性为产品的长期运行提供了保障。

小结

总之，SI2393DS-T1-GE3是一个高效、低损耗的P沟道MOSFET，适合各种电子应用，特别是在严苛环境和高频操作的需求下，更显其独特优势。Vishay Siliconix的此款产品凭借卓越的电气特性和可靠性，成为了工程师和设计师进行电源管理与控制设计时的重要选择。