类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 20.7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.5mΩ@10V,20A |
功率(Pd) | 3.12W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 24nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.4nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 210pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
AP4024EYT 是由富鼎半导体(APEC)公司推出的一款高性能绝缘栅场效应管(MOSFET),其采用先进的QFN(无引脚扁平封装)3x3mm结构设计,旨在满足现代电源管理和开关应用的需求。凭借出色的电气特性和优越的热管理能力,AP4024EYT 适用于广泛的电子产品领域,包括但不限于高效电源转换、LED 驱动、功率放大器和电机控制等应用。
AP4024EYT 的设计充分考虑了多种应用场景,其中包括:
AP4024EYT 在设计时运用了多种创新技术,旨在提供超凡的性能及便捷的集成方案。其小型化(3x3mm)封装使其更容易集成于空间有限的应用中,并且运行温度范围广,确保其在多种环境下的可靠性。
在众多类似产品中,AP4024EYT 凭借高导通电阻、快速开关特性以及出色的热管理,展现了强大的市场竞争力。与其他品牌相比,富鼎半导体的设计专注于高效能与高可靠性的完美结合,确保用户在实际应用中获得最佳效益。
QFN 3x3mm 的封装形式不仅为AP4024EYT 提供了便利的应用条件,还保证了其与现有电路板设计的兼容性。随着电子产品的小型化需求不断增加,QFN 封装以其低高度和良好的热导性能成为市场的热门选择。
总而言之,AP4024EYT 作为一款高性能的MOSFET器件,专为高频高效电源应用而设计,凭借其出众的电气特性和优克的热管理能力,提供了卓越的解决方案。无论是在电源转换、LED驱动还是电机控制,AP4024EYT 都能为工程师们带来可靠的性能和灵活的设计选项,是现代电子工程师不可或缺的重要元器件。