PMV60ENEAR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PMV60ENEAR

商品编码: BM69419913
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 615mW;7.5W 40V 3A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
7566(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.853
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.853
--
200+
¥0.657
--
1500+
¥0.571
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PMV60ENEAR参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)3A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)75mΩ@10V,3A
功率(Pd)615mW阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)180pF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)21pF@20V工作温度-55℃~+175℃

PMV60ENEAR手册

PMV60ENEAR概述

PMV60ENEAR 产品概述

概述

PMV60ENEAR是一款高性能的N通道MOSFET,专为汽车和其他对可靠性和环境适应性要求严格的应用而设计。该元件由Nexperia USA Inc.制造,符合AEC-Q101标准,确保其在严苛的工作环境下的稳定性和可靠性。这款MOSFET具有优秀的电气特性和较宽的工作温度范围,适合高效能电源管理和负载开关等应用。

主要特性

  1. MOSFET 类型: 作为N通道场效应管,PMV60ENEAR能够在较低的栅极驱动电压下提供高电流输出,适合用于低电压、高电流应用。
  2. 电流与电压规格: 本产品在25°C的环境温度下具有3A的连续漏极电流(Id),漏源电压(Vdss)可达40V,适合各种中低功率应用,确保了产品的广泛适用性。
  3. 导通电阻: 在10V的栅极驱动电压下,通道电阻(Rds On)最大为75毫欧,这一低值有助于减少功耗,提升系统效率,尤其在高频率开关应用中表现出众。
  4. 栅极阈值电压: 该器件的最大栅极阈值电压(Vgs(th))为2.5V(250µA),使其适合在较低的栅极驱动电压下进行快速开关。
  5. 功率耗散: 具有615mW的最大功率耗散(Ta)和7.5W的最大功率耗散(Tc),能够解决热管理问题,确保可靠运行。
  6. 工作温度范围: PMV60ENEAR支持-55°C至175°C的宽温工作范围(TJ),理想用于高温和低温环境下的电子设备。
  7. 封装形式: PMV60ENEAR采用小型的SOT-23-3表面贴装封装,适用于空间受限的设计需求,同时也提高了产品的散热能力。

应用领域

PMV60ENEAR适用于多个领域,包括但不限于:

  • 汽车电子: 适用于电动汽车的电源管理、驱动电路和负载开关。
  • 消费电子: 例如优质音频放大器、便携式设备中的电源切换。
  • 工业控制: 用于交流和直流电动机驱动、电源控制等工业自动化控制设备。
  • 高效电源管理: 用于DC-DC转换器、逆变器和其他需要高效能源转换的应用中。

性能优势

  1. 高效能与热管理: 由于其低导通电阻,PMV60ENEAR在高频开关和大电流操作时能有效降低热量生成,增强整体系统的热管理能力。
  2. 优越的可靠性: 作为符合AEC-Q101认证的元件,其在极端环境和长时间使用场景中的可靠性设计,为客户的应用提供了强有力的保障。
  3. 设计灵活性: 兼容于广泛的驱动电压范围(4.5V至10V),且可在较高的栅源电压下运作,提供设计更大的灵活性,适应不同的电路需求。

总结

PMV60ENEAR是一款集高效能、可靠性和灵活性于一身的N通道MOSFET,适合用于多种工业和汽车电子应用。其卓越的电气性能和宽广的工作温度范围使其在激烈竞争的市场中脱颖而出,是设计工程师的理想选择。无论是在电源管理、负载开关,还是汽车电子组件中,PMV60ENEAR都将为用户提供卓越的性能和可靠的支持。