晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 功率(Pd) | 1W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 200@2mA,6V | 特征频率(fT) | 80MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@100mA,10mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DP0150BLP4-7 是一款高性能的 NPN 型双极性晶体管 (BJT),该器件专为各种现代电子应用而设计,特别适用于低功耗和高频信号处理的场合。其出色的电流增益和饱和压降特性使其非常适合作为开关或放大器使用。作为一种表面贴装型晶体管,DP0150BLP4-7 的尺寸和封装设计使其在紧凑的电路板上使用非常方便。
DP0150BLP4-7 采用 X2-DFN1006-3 封装,具有小尺寸和高密度集成的优点,特别适合现代电子产品中对空间和重量的严格要求。该表面贴装型封装允许快速而简便的安装,有助于提高生产效率和降低成本。封装设计确保了良好的热管理与散热性能,有助于提升晶体管的长期稳定性和可靠性。
由于 DP0150BLP4-7 的优异性能指标,特别适合以下应用场合:
DP0150BLP4-7 所具备的高电流增益和低饱和电压使其在同类产品中具有竞争优势。此外,它的宽工作温度范围保证了其在各种环境条件下的优良表现。结合 DIODES(美台)品牌提供的技术支持和品质保障,DP0150BLP4-7 是设计师寻求创新和高性能解决方案的理想选择。
总之,DP0150BLP4-7 是一款性能卓越的 NPN 晶体管,凭借其高效的电流增益、低功耗和宽工作温度范围,在众多电电子应用中展现出优良的适用性。凭借其小巧的封装和可靠的性能,这款晶体管无疑是在现代电子设计中不可或缺的关键元件之一。选择 DP0150BLP4-7,将为您的项目带来卓越的表现与设计灵活性。