技术 | SDRAM - DDR3L | 访问时间 | 20ns |
安装类型 | 表面贴装型 | 时钟频率 | 933MHz |
存储器格式 | DRAM | 存储容量 | 4Gb (256M x 16) |
工作温度 | 0°C ~ 95°C(TC) | 存储器类型 | 易失 |
电压 - 供电 | 1.283V ~ 1.45V | 存储器接口 | 并联 |
MT41K256M16TW-107:P是Micron(镁光)公司推出的一款高性能DDR3L SDRAM存储器,采用96-FBGA(8x14)封装。其主要特点包括容量为4Gb(256M x 16),时钟频率高达933MHz,访问时间为20ns,适用于多种电子设备和应用场景。
存储器类型: MT41K256M16TW属于DDR3L(Double Data Rate 3 Low Voltage Synchronous Dynamic Random Access Memory),即第三代双倍数据速率低电压同步动态随机存取存储器。
存储容量: 4Gb的存储容量(256M x 16),这使得该芯片能够满足中高端计算需求,适用于需要快速数据处理和存储的场景。
时钟频率与访问时间: 933MHz的时钟频率和20ns的访问时间提供了卓越的性能,适合要求高带宽和快速响应的应用,如移动设备、笔记本电脑和其他电子产品。
工作电压: 供电电压范围为1.283V ~ 1.45V,使得该芯片具备较低的功耗特性,有助于提升设备的能源效率,尤其在便携式设备方面表现优异。
工作温度: 设备的工作温度范围在0°C ~ 95°C(TC)之间,能够适应不同的环境工作条件。
封装类型: 采用96-FBGA封装,尺寸为8x14mm,适合高密度的PCB设计,能够有效节省电路板空间,简化产品设计。
MT41K256M16TW-107:P存储芯片广泛应用于移动设备(如智能手机和平板电脑)、笔记本电脑、桌面计算机、网络设备以及嵌入式系统中。由于其低电压和高性能的特性,特别适合电池供电的便携式设备。
高带宽: DDR3L技术使该模块支持双倍数据传输和优秀的带宽,能够满足现代计算机和数据中心对数据处理速度的高要求。
低功耗: 适合对功耗敏感的应用,降低设备的运营成本,同时延长电池使用寿命,这是移动设备和其他便携设备所追求的目标。
优良的温度特性: 其宽广的工作温度范围使得该产品可以在各种环境条件下稳定运行。
MT41K256M16TW-107:P是Micron公司提供的一款优秀的DDR3L SDRAM存储器,凭借其高带宽、低功耗及优良的性能特征,适合广泛的应用场合。何况,随着电子产品对内存容量和速度的不断要求,选择合适的存储器是提高产品性能的关键因素之一。无论是在个人计算机、移动设备、网络设备,还是在各种嵌入式应用中,MT41K256M16TW-107:P都能为设计人员提供出色的解决方案,确保其产品在市场上的竞争力。