BSS127SSN-7

BSS127SSN-7 产品概述

BSS127SSN-7 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），专为高电压和低功耗应用而设计。作为 DIODES（美台）品牌的一员，该元器件结合了优异的电气性能和广泛的应用灵活性，适用于需要高漏源电压和高温可靠性的电子设备。

主要参数与规格

1. FET 类型：

   • N 通道 MOSFET
   • MOSFET技术具有优越的开关特性和电流处理能力。

2. 漏源电压（Vdss）：

   • 最高可承受600V的漏源电压，适用于高电压应用场景，使其在换流器和开关电源等领域得以广泛使用。

3. 电流参数：

   • 25°C时的连续漏极电流（Id）为50mA。这使得BSS127SSN-7在低功耗和小尺寸的电路设计中表现出色。

4. 导通电压与导通电阻：

   • 驱动电压范围为5V至10V，最大导通电阻（Rds On）为160Ω @ 10V和16mA，显示出该装置在较低驱动电压下仍可提供令人满意的导通性能。

5. 阈值电压（Vgs(th)）：

   • 最大阈值电压为4.5V @ 250µA，确保在合理的栅极驱动下能有效开关，提高了整体的驱动灵活性。

6. 栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）：

   • 栅极电荷最大为1.08nC @ 10V，输入电容（Ciss）最大为21.8pF @ 25V，表明该MOSFET具有较快的开关速度和较低的驱动功耗，适合开关模式电源和高频应用。

7. 功率耗散：

   • 最大功率耗散为610mW (Ta)，在保证有效散热的情况下，它在各种应用中具有很高的可靠性。

8. 工作温度范围：

   • 工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，这使得BSS127SSN-7在极端环境下仍能稳定运行，适合军用和工业应用。

9. 封装与安装类型：

   • 该MOSFET采用SC-59封装，即TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装，符合表面贴装型设计，适用于现代电子设备的紧凑布局。

应用场景

BSS127SSN-7 MOSFET适合广泛的应用场景，包括但不限于：

• 电源管理：在开关电源、线性稳压器及DC-DC转换器中，BSS127SSN-7能够有效地控制电流和电压，从而提高系统的效率。

• 汽车电子：其高温和高压的工作特性，使其适合用于汽车电气系统中的开关控制，电动门、照明和电池管理系统。

• 工业自动化：在各种传感器、继电器和电动机驱动电路中，BSS127SSN-7能够提供可靠的开关性能。

• 消费电子：广泛应用于智能家居设备、便携式电子产品及其他需要紧凑设计和高效电源管理的场合。

总结

综上所述，BSS127SSN-7是一款高 Voltage的N沟道MOSFET，凭借其优异的电气特性、高可靠性和广泛的应用能力，成为工程师在电源管理和开关控制中理想的选择。无论是在高压电源设计、汽车电子还是低功耗设计中，该元器件都能为用户提供出色的性能和灵活性，适应各种现代电子产品的需求。