类型 | NPN | 集射极击穿电压(Vceo) | 140V |
直流电流增益(hFE@Vce,Ic) | 10000@10V,500mA | 功率(Pd) | 2W |
集电极电流(Ic) | 2A | 特征频率(fT) | 250MHz |
集电极截止电流(Icbo@Vcb) | 10uA | 集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.2V@1A,10mA |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
FZT600BTA 是一款高性能的 NPN 达林顿晶体管,具备优异的电流增益和耐压特性,广泛应用于功率放大、电源开关、驱动电路和其他需要高增益放大地方。这款器件由知名品牌 DIODES(美台)制造,封装类型为紧凑的 SOT-223,适合于表面贴装技术(SMT),便于在现代电子设备中实现小型化和高密度布局。
晶体管类型:NPN - 达林顿
最大集电极电流 (Ic):2A
最大集射极击穿电压 (Vce):140V
Vce 饱和压降:
集电极截止电流 (Ic):最大 10µA
直流电流增益 (hFE):最小值 10000 @ 500mA, 10V
最大功率:2W
频率跃迁:250MHz
工作温度范围:-55°C 到 150°C
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
FZT600BTA 的高电流增益、高击穿电压及其出色的电性能使其尤为适合以下应用:
作为一款出色的 NPN 达林顿晶体管,FZT600BTA 凭借其卓越的电流增益、宽广的工作温度范围及先进的电气性能,适应了现代电子设计的多样需求。无论是在功率管理还是信号放大领域,其表现都无疑会给设计师提供丰富的应用选择与灵活性。选择 FZT600BTA,您将拥有更高效、更可靠的电子解决方案。