DMG1012TQ-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMG1012TQ-7

商品编码: BM0000035168
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT523
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 280mW 20V 630mA 1个N沟道 SOT-523
库存 :
3977(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.215
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.215
--
3000+
¥0.19
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMG1012TQ-7参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)630mA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)500mΩ@1.8V,350mA
功率(Pd)280mW阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)736.6pC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)60.67pF@16V
反向传输电容(Crss@Vds)5.37pF@16V工作温度-55℃~+150℃

DMG1012TQ-7手册

DMG1012TQ-7概述

DMG1012TQ-7 产品概述

产品概述
DMG1012TQ-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(场效应管),专门设计用于各种低功耗和高可靠性应用。基于其卓越的电气特性,DMG1012TQ-7 是各种电源管理、电机控制和负载开关应用中的理想选择。此器件采用 SOT-523 封装,适合表面贴装,可自如适应现代电子设备的紧凑设计要求。

电气特性
DMG1012TQ-7 的工作电压范围为 20V,具备高达 630mA 的连续漏极电流能力,非常适合进行低压逻辑电平控制的应用。其漏源电压(Vdss)最大值为 20V,能够提供可靠的性能,从而保护下游电路免受过压影响。此外,DMG1012TQ-7 显示出了优异的导通电阻特性,在 4.5V 的栅源电压(Vgs)下,最大导通电阻 (Rds(on)) 为 400mΩ,能够有效降低能量损耗,提升整体系统效率。

该元件的栅极阈值电压 (Vgs(th)) 最大为 1V,意味着控制信号能够在非常低的电压下使其导通,有助于与低电压微控制器和逻辑电路的兼容。此外,在 4.5V 的 Vgs 下,栅极电荷 (Qg) 仅为 0.74nC,具备良好的开关速度和响应特性,使其非常适合高频率的开关应用。

温度和功率处理
DMG1012TQ-7 的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 150°C,保证在极端环境下的可靠运行。其最大功率耗散达到 280mW(在室温条件下),使其能够在较高的温度下持续工作,同时仍然保持较低的导通损耗。

封装和安装
此 MOSFET 采用 SOT-523 封装,尺寸小巧,适合现代电子设备日益追求的节省空间和轻量化的设计需求。表面贴装类型使其在生产过程中易于自动化焊接,提高了生产效率和一致性。

应用领域
DMG1012TQ-7 被广泛应用于诸如便携式电子设备、手持设备、计算机和信息技术设备、电源转换和管理、电机驱动等领域。它可以作为开关元件,在电源管理电路中用于切换和控制负载,提升整个系统的整体效率。

总结
总体而言,DMG1012TQ-7 是一款性能卓越、具备广泛适用性的 N 通道 MOSFET,适合各种低功耗应用。其小型化封装和优良的电气性能,可以帮助设计师在保持高效能的同时,优化PCB布局,满足现代电子产品对小型化和高性能的迫切需求。这款 MOSFET 不仅具有出色的负载驱动能力和出色的热管理,还能够在更高的工作温度下保持稳定的性能,为电子设计师提供了极大的灵活性和可靠性。