类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 150V |
连续漏极电流(Id) | 130A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.5mΩ@10V,100A |
功率(Pd) | 333W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 77nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 7.35nF@75V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 21pF@75V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
产品名称:FDP075N15A-F102
制造商:ON Semiconductor
产品系列:PowerTrench® MOSFET
封装类型:TO-220-3
FDP075N15A-F102 是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),适用于高电流和高电压的应用场景。其最大连续漏极电流为130A,结合其广泛的工作温度范围和出色的散热能力,使得这一器件特别适合各类电源管理应用、DC-DC转换器及电动汽车驱动系统等。
FDP075N15A-F102的工作温度范围为-55°C 到 175°C,使得它可以在严苛环境中稳定工作。此外,TO-220-3封装形式确保了良好的散热性能,有助于提高器件的可靠性和使用寿命。该元器件采用通孔安装方式,具备良好的机械强度和高电流承载能力,适应多种PCB设计需求。
FDP075N15A-F102广泛应用于多个领域,包括:
FDP075N15A-F102 是一款高性能的N沟道MOSFET,结合了出色的电气性能、可靠的热特性和广泛的应用适应性,非常适合需要高电流、高电压的电子电路设计。无论是在电源管理、工业控制还是新兴的电动汽车领域,这一产品都展示了其卓越的性能和设计灵活性,为系统设计提供了更多的可能性和优势。