集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 250mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 35@5mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 2.5V@20mA,300mV | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 650mV@100uA,5V |
输入电阻 | 1kΩ | 工作温度 | -65℃~+150℃ |
PDTA113ZT,215是由Nexperia USA Inc.生产的一款高性能PNP型数字晶体管,采用了预偏置设计,专为高效能电子元器件应用而开发。该元件广泛应用于各种数字和模拟电路中,为设计师提供了优良的电气特性和易于集成的解决方案。
PDTA113ZT,215具有重要的电气特性,其主要参数如下:
PDTA113ZT,215采用了先进的预偏置PNP结构,使得其具备以下设计优势:
PDTA113ZT,215可以应用于各种电子设备和电路设计中,例如:
在实际应用中,可以利用基极电阻器 (R1: 1 kOhms) 和发射极电阻器 (R2: 10 kOhms) 配置,形成基本的放大电路,增强电流放大能力。同时这些参数的选定也可以帮助设计师进一步优化电路性能,降低功耗。
总体来看,PDTA113ZT,215是一款性能优越、应用广泛的PNP型数字晶体管,凭借其高增益、低饱和压降和小型化封装,使其成为现代电子设计中的理想选择。无论是在专业的电子产品开发,还是在学生和爱好者的实验项目中,PDTA113ZT,215都能为设计师提供强大的支持和便利。
选择PDTA113ZT,215,不仅是选择了一款优秀的电子元器件,更是看中了其在未来电子技术发展中的大潜力与应用前景。