晶体管类型 | 2个NPN-预偏置 | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极电流(Ic) | 100mA | 功率(Pd) | 200mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 30@10mA,5V | 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.9V@20mA,0.3V |
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 500mV@100uA,5V | 输入电阻 | 4.7kΩ |
电阻比率 | 1 | 工作温度 | -65℃~+150℃ |
PUMH15,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款数字晶体管,专为高效能和低功耗电路设计而成,其具有两个 NPN 预偏置晶体管。这款器件在表面贴装类型(SMD)中具有广泛的应用场景,封装类型为 6-TSSOP(SOT-363),适用于现代电子设备的小型化和高集成度的要求。
电流与电压规格:
增益特性:
饱和压降特性:
低截流电流:
功率处理能力:
安装和规格:
PUMH15,115 可广泛应用于各类电子和电气设备,特别是在以下领域表现出色:
综上所述,PUMH15,115 是一款高效、可靠且具备良好功率管理特性的数字晶体管。凭借其优异的电流增益、低饱和压降和小型化封装,这款器件不仅能够满足现代电子设计的高标准,同时也能在多种应用场合中提供稳定的性能表现。无论是在消费电子还是工业领域,PUMH15,115 都是设计人员的理想选择,能够助力产品创新和性能提升。