类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 2.7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@10V,2.7A |
功率(Pd) | 1.3W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.3V@25uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 110pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 12pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRLML2030TRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,其设计旨在满足现代电子设备对于高效能和高可靠性的需求。该器件采用了先进的金属氧化物半导体(MOSFET)技术,具备出色的电气特性和广泛的应用灵活性。IRLML2030TRPBF 适用于各类电子产品,包括开关电源、功率放大器和电机驱动等。
IRLML2030TRPBF 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,极宽的工作温度范围使其在极端环境下依然能够可靠工作,适合高温或低温条件的应用。其功率耗散能力为 1.3W(Ta),确保了在高负载情况下的安全和持续性能。
该 MOSFET 的广泛应用包括但不限于:
IRLML2030TRPBF 是一款在多个领域中都表现优异的 N 通道 MOSFET,得益于其小型化的封装、宽广的工作温度范围和高效的电气性能,它已成为电子设计工程师广泛信赖的选择。无论是在高功率输出、信号开关还是电源管理应用中,这款 MOSFET 都能够发挥其最佳性能,为相应的系统带来更高的效率和可靠性。通过选择 IRLML2030TRPBF,工程师能够在设计时充分发挥其强大的功能,为最终产品的性能和用户体验提供有力保障。