ZXTP2008ZTA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

ZXTP2008ZTA

商品编码: BM0000035420
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT89
包装 : 
编带
重量 : 
0.093g
描述 : 
三极管(BJT) 2.1W 30V 5.5A PNP SOT-89-3
库存 :
763(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
2.53
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.53
--
50+
¥1.94
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZXTP2008ZTA参数

晶体管类型PNP集电极电流(Ic)5.5A
集射极击穿电压(Vceo)30V功率(Pd)12W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)70@5A,1V特征频率(fT)110MHz
集电极截止电流(Icbo)20nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)60mV@1A,100mA
工作温度-55℃~+150℃

ZXTP2008ZTA手册

ZXTP2008ZTA概述

产品概述:ZXTP2008ZTA

基本信息

ZXTP2008ZTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 PNP 型三极管,封装类型为 SOT-89-3(也称为 TO-243AA)。它专为各种高电流和高频应用而设计,具有出色的电气性能和广泛的工作温度范围。这款三极管通常用于开关电源、放大器、电机驱动以及其他需要高功耗处理的电子设备中。

电气特性

ZXTP2008ZTA 在多个参数上表现出色,特别是在集电极最大电流(Ic),集电极-发射极击穿电压(Vce)和功率处理能力方面。其电流 - 集电极的最大值为 5.5A,适用于许多高电流应用。此外,Vce 饱和压降最大值为 175mV(在 500mA,5.5A 时测得),这意味着在高负载情况下会有非常小的电压损失,从而提高能效。

这款三极管在直流电流增益 (hFE) 上也有很好的表现,最小值为 100(在 1A 和 1V 的条件下),赋予它良好的放大能力,是进行信号处理或放大的理想选择。其集电极截止电流 (ICBO) 最大值为 20nA,显示出其良好的关断性能,从而减少静态功耗。

频率特性

ZXTP2008ZTA 的频率跃迁达到 110MHz,使其适合于高频应用。高频特性指的是三极管能够有效放大或开关电信号的速度,因此它适用于在无线通信、电信和高频开关电路等场合使用。

工作温度和可靠性

该器件的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 +150°C(TJ),使其适用于极端环境的应用,包括工业控制、汽车电子和航空航天等领域。这种温度适应性确保了 ZXTP2008ZTA 能够在恶劣环境下持续运行,并保持高可靠性。

安装和封装

ZXTP2008ZTA 为表面贴装型(Surface Mount Device, SMD),完美契合现代电子设备小型化的趋势。SOT-89-3 封装具有小体积和良好的散热性能,是许多电路设计中的常用选择。这种封装便于在紧凑的电路板上进行高密度安装,同时也有助于减少电路的整体重量。

应用领域

ZXTP2008ZTA 可广泛应用于多种领域,包括:

  1. 开关电源:其高集电极电流和低饱和压降特点非常适合用于开关电源设计中。
  2. 音频放大器:优秀的增益和频率响应使其成为音频放大器设计中的热门选择。
  3. 功率驱动电路:可用于驱动电机或其他功率负载的应用。
  4. 信号处理电路:在前级放大器中,ZXTP2008ZTA 的高频特性能够有效提升信号质量。
  5. 汽车电子:可用于各种传感器和控制模块,提供稳定的性能。

总结

总的来说,ZXTP2008ZTA 是一款功能强大、应用广泛的 PNP 型三极管,凭借其高集电极电流、低饱和压降、高增益和宽工作温度范围,能够满足现代电子设计的严苛要求。无论是在工业、汽车,还是消费电子领域,这款三极管都能发挥重要作用,为电子产品的性能提高提供支持。