类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 950V |
连续漏极电流(Id) | 6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.25Ω@10V,3A |
功率(Pd) | 90W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 13nC@760V | 输入电容(Ciss@Vds) | 450pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 1.6pF@100V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STW6N95K5是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),由意法半导体(STMicroelectronics)制造。该器件采用TO-247-3封装,广泛应用于高电压和高电流的电力电子设计中,例如开关电源、变频器和电机驱动等场景。凭借其950V的漏源电压(Vds)、9A的连续漏极电流(Id)和优异的导通电阻,这款MOSFET为高效能电源管理系统提供了可靠的解决方案。
高耐压能力:STW6N95K5的漏源电压(Vdss)达到了950V,能够满足各种高电压应用的需求,适用于电力处理和电源转换的高压环境。
优越的导通性能:在10V栅极驱动电压下,器件在3A电流时的最大导通电阻(Rds On)为1.25欧姆,这一指标使得在工作过程中能够有效降低功耗,提高效率。
高电流处理能力:STW6N95K5的最大连续漏极电流(Id)为9A(在结温Tc情况下),能够轻松支持中等负载应用,同时保持良好的热管理,有效降低过热风险。
较低的栅极电荷:其栅极电荷(Qg)最大为13nC,这意味着在频繁开关的应用中,STW6N95K5能够快速响应,提供更为快速的开关性能,适合高频开关应用。
宽工作温度范围:该器件的工作温度范围为-55°C至150°C,确保其在极端环境下也能稳定运行,适合各种恶劣环境条件的工业用途。
功率耗散能力:最大功率耗散达到90W(Tc情况下),该特性意味着STW6N95K5在高负载情况下仍能保持稳定,适合长时间的高负荷工作。
STW6N95K5 MOSFET由于其卓越的高电压、高电流特性,广泛应用于以下领域:
开关电源:在AC-DC和DC-DC转换器中,STW6N95K5能够高效地实现电能传输和调节,使得整个电源系统更加高效和可靠。
电机驱动:在电机控制系统中,能够有效地驱动各种电机负载,提高整体系统性能,减少能耗。
变频器:在逆变器和变频驱动中,STW6N95K5可以提高转换效率,并满足高频率变换的要求。
电力电子设备:适用于各种电力管理和转换设备,确保其高效、稳定的工作。
STW6N95K5是一款具有极高性价比的N沟道MOSFET,其950V的高耐压、9A的电流处理能力以及低导通电阻的优势,使其在多种高电压、高电流应用中表现出色。无论是在开关电源、电机驱动还是变频器等应用领域,STW6N95K5都能提供高效、可靠的解决方案,符合现代电子设备对性能、效率和耐用性的高要求。意法半导体凭借其强大的研发能力和技术积累,将该产品打造成市场上值得信赖的选择,为电力电子行业的发展贡献力量。