晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 10A |
集射极击穿电压(Vceo) | 80V | 功率(Pd) | 50W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 40@4A,1V | 集电极截止电流(Icbo) | 10uA |
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@8A,0.4A | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品型号:MJB44H11T4-A
制造商:STMicroelectronics(意法半导体)
系列:Automotive, AEC-Q101
封装类型:D²PAK-3(包括2引线和接片)
状态:有源
安装类型:表面贴装型
MJB44H11T4-A是一款高性能的NPN晶体管,专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准,确保其可靠性和耐用性。该产品适用于高功率和高电流的应用环境,例如电机驱动、继电器驱动以及各种高功率开关应用。
高功率处理能力:该晶体管的最大功率可达50W,确保在高温和高电流环境下仍能稳定工作。这使得MJB44H11T4-A非常适合需要大功率输出的应用场景。
高电流承载能力:其最大集电极电流(Ic)可达到10A,这意味着它能够支持高负载,并在高功率设备中表现出色。
宽工作温度范围:工作温度可达到150°C(TJ),使其在极端环境条件下仍然可靠。对汽车等高温环境应用格外重要。
低导通压降:MJB44H11T4-A具有1V的饱和压降(Vce sat),在400mA及8A的工作状态下表现优异,降低了能量损耗,这对于高效率设计至关重要。
高电压耐受:最大集射极击穿电压(Vce)为80V,这使得该晶体管在高电压条件下操作时仍能保持良好的稳定性,适合各种复杂的电路设计。
MJB44H11T4-A的电气特性如下:
MJB44H11T4-A晶体管由于其优越的性能特点和可靠性,广泛应用于以下领域:
MJB44H11T4-A是一款高效率、高可靠性且功能强大的NPN三极管,专为需要高功率和高电流的应用设计。其卓越的性能使其适用于汽车行业及其他要求苛刻的电子应用,能够在宽广的工作温度范围及极端条件下稳定运行。STMicroelectronics以其强大的技术背景确保了MJB44H11T4-A在各种应用中的高可靠性和优良表现,是电子设计工程师的理想选择。