类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id) | 6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 800mΩ@10V,3A |
功率(Pd) | 110W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 16.5nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 450pF@100V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 1pF@100V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
STU8N80K5 产品概述
STU8N80K5是一款高性能的N沟道MOSFET,属于STMicroelectronics的SuperMESH5™系列。该系列以出色的电气特性、低导通电阻和高耐压性能而闻名,广泛应用于各种电子电路中,如开关电源、DC-DC转换器和电机驱动器等。STU8N80K5的设计旨在满足现代电子设备对高效率、高可靠性和良好热性能的需求。
1. 电气特性
2. 驱动特性
3. 频率特性
4. 温度特性
STU8N80K5采用TO-251-3封装,这种封装设计便于通过通孔安装,适合各种PCB布局需求。该封装设计不仅有助于优化电气性能,还能有效管理热性能,确保元件在高功率应用中可靠工作。
由于其卓越的性能参数,STU8N80K5广泛应用于:
STU8N80K5是一款高效、可靠的N沟道MOSFET,凭借其出色的电气特性和宽广的应用领域,是设计工程师进行现代电子设备设计时的重要选择。无论是在高压、大电流的应用场合,还是在要求高效率和高可靠性的系统中,STU8N80K5都能提供卓越的性能,支持创新和进步。通过精心设计和高质量的制造工艺,它为电子系统提供了稳定而出色的性能支持,是现代电子技术不可或缺的组成部分。