STU8N80K5 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STU8N80K5

商品编码: BM0000035570
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-251-3
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 110W 800V 6A 1个N沟道 TO-251
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.64
按整 :
管(1管有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.64
--
3000+
¥4.46
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

STU8N80K5参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)6A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)800mΩ@10V,3A
功率(Pd)110W阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs)16.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)450pF@100V
反向传输电容(Crss@Vds)1pF@100V工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

STU8N80K5手册

STU8N80K5概述

STU8N80K5 产品概述

STU8N80K5是一款高性能的N沟道MOSFET,属于STMicroelectronics的SuperMESH5™系列。该系列以出色的电气特性、低导通电阻和高耐压性能而闻名,广泛应用于各种电子电路中,如开关电源、DC-DC转换器和电机驱动器等。STU8N80K5的设计旨在满足现代电子设备对高效率、高可靠性和良好热性能的需求。

关键参数

1. 电气特性

  • 漏源电压(Vdss): STU8N80K5的漏源耐压高达800V,这使得它在高压应用中非常有用,可以安全地处理电源系统中的高电压。
  • 连续漏极电流(Id): 在25°C时,STU8N80K5的连续漏极电流可达6A。这种能力使得该MOSFET能够在多种负载条件下可靠工作。
  • 导通电阻(Rds(on)): 在驱动电压为10V的条件下,最大导通电阻为950毫欧(@3A),这意味着在运作时能够有效减少功耗和热损耗,提高整体效率。
  • 功率耗散: 最大功率耗散可达110W(在散热条件良好的情况下),确保MOSFET能够在高功率应用中长期稳定工作。

2. 驱动特性

  • 栅极驱动电压: STU8N80K5要求的栅极驱动电压为10V,这使得其在标准的驱动条件下能够充分导通,减少开关损耗,提升响应速度。
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 该MOSFET的栅极阈值电压最大值为5V(@100µA),确保在较低的栅极电压下也能开始导通,为设计师提供更大的灵活性。

3. 频率特性

  • 输入电容(Ciss): 在100V的条件下,输入电容最大为450pF。这一特性对于高频开关应用尤其重要,因为较低的输入电容有助于快速切换,降低开关损耗。

4. 温度特性

  • 工作温度范围: STU8N80K5的工作温度范围为-55°C至150°C,广泛适用于高温环境,提升了其在恶劣条件下的可靠性。

封装与设计

STU8N80K5采用TO-251-3封装,这种封装设计便于通过通孔安装,适合各种PCB布局需求。该封装设计不仅有助于优化电气性能,还能有效管理热性能,确保元件在高功率应用中可靠工作。

应用领域

由于其卓越的性能参数,STU8N80K5广泛应用于:

  • 开关电源: 提升电源转换效率,降低热损失,适用于电源适配器和电源管理电路。
  • 电机驱动: 高效驱动各种直流和无刷电机,尤其是在低功耗应用中。
  • 电动汽车: 可作为电池管理系统中的开关元件,实现高效能的电能转化。
  • 工业控制: 在工控设备中,STU8N80K5能够有效提升系统的稳定性与可靠性。

总结

STU8N80K5是一款高效、可靠的N沟道MOSFET,凭借其出色的电气特性和宽广的应用领域,是设计工程师进行现代电子设备设计时的重要选择。无论是在高压、大电流的应用场合,还是在要求高效率和高可靠性的系统中,STU8N80K5都能提供卓越的性能,支持创新和进步。通过精心设计和高质量的制造工艺,它为电子系统提供了稳定而出色的性能支持,是现代电子技术不可或缺的组成部分。