类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 400V |
连续漏极电流(Id) | 490mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.8Ω@10V,0.21A |
功率(Pd) | 1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 20nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 410pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 47pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRFD320PBF 是一款由威世(VISHAY)公司制造的高性能 N 通道 MOSFET,适用于各种电子应用。其核心特性包括高漏源电压(Vdss),出色的电流处理能力和良好的热稳定性,使其成为功率管理和开关应用的理想选择。
IRFD320PBF 的设计定位使其能够在多个领域发挥重要作用,包括但不限于:
相比于其他同类产品,IRFD320PBF 的优势在于其高达 400V 的漏源电压及 490mA 的漏极电流能力,在确保高效率的同时,提供了广泛的应用灵活性。此外,其低导通电阻和适中的栅极电荷,使得它在频繁开关的情况下能够有效降低功率损耗,从而提升整体系统的可靠性。
该产品采用 DIP-4 封装,具有良好的焊接性能和适应性,且便于在嵌入式系统及其他电子电路中进行通孔安装。DIP 封装使得其在电路板中的布局和集成更为便捷,适合在高密度的电子设备中使用。
IRFD320PBF 是一款出色的 N 通道 MOSFET,凭借其高压、高电流处理能力、出色的热稳定性以及宽广的工作温度范围,成为多种电子应用中的理想选择。无论是在开关电源、马达驱动还是其他电力管理应用,IRFD320PBF 都能够提供可靠、高效的解决方案。通过采用威世这一行业领先品牌的产品,设计工程师可以更加自信地构建其电子系统,以实现更高的性能和可靠性。