类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 230mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8Ω@10V,0.16A |
功率(Pd) | 360mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.4V@26uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.4nC@5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 39pF@3V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 5pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
BSS159NH6327XTSA2 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET(场效应晶体管),专为各种低功耗电子应用而设计。作为一款表面贴装型元器件,BSS159 在电源管理、开关电路和信号处理等领域中表现出色。其小巧的 SOT-23-3 封装使其适合广泛的应用场景,能够有效节省电路板空间。
类型与结构:
电气特性:
栅极特性:
输入电容:
功率和温度特性:
封装与安装:
BSS159NH6327XTSA2 MOSFET 适用于多种电子设备和系统,主要包括:
Infineon BSS159NH6327XTSA2 是一款性能卓越、适用范围广泛的 N 沟道 MOSFET,凭借其高漏源电压、低导通电阻及宽工作温度范围,成为多种低功耗电子应用的理想选择。其小型 SOT-23-3 封装加上杰出的电气特性,使其能够满足现代电子设计对于尺寸和效率的严格要求。无论是用于电源管理、开关电路,还是信号处理,BSS159都展现出了其在电子元器件中的重要地位。