类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 173A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.75mΩ@10V,100A |
功率(Pd) | 230W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.1V@150uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 142nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 70pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 395pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRFS7537TRLPBF 是一款高性能 N 通道 MOSFET,由著名半导体制造商英飞凌(Infineon)生产,专为高效率电源管理和功率放大应用而设计。该器件具有优越的电气性能,适用于需要高电流和高效率的场合,特别是在汽车、工业和消费电子领域。
IRFS7537TRLPBF 在多个方面表现出色,使其成为各种应用的理想选择:
IRFS7537TRLPBF 可广泛应用于以下领域:
该元器件采用 D²PAK(TO-263-3)封装,符合表面贴装(SMT)标准,便于自动化生产和实际应用中减小PCB占用空间。该封装设计增强了散热性能,有助于提高器件在高功率操作下的稳定性和可靠性。
IRFS7537TRLPBF N 通道 MOSFET 是一款适用于高功率和高效率应用的优质元器件。其高电流、低导通电阻、宽工作温度范围和灵活的封装选择,使其成为现代电子产品设计中的重要组成部分。英飞凌作为领先的半导体制造商,提供的这一产品,无疑将为工程师和设计师在他们的项目中提供卓越的性能和可靠性。此器件不仅能够提升系统的效率,还能降低能耗,是追求高性能电源解决方案的理想选择。