IRFS7537TRLPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRFS7537TRLPBF

商品编码: BM0000035717
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-263-3(D2PAK)
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 230W 60V 173A 1个N沟道 TO-263-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.17
按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.17
--
100+
¥3.33
--
800+
¥3.2
--
8000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFS7537TRLPBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)173A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.75mΩ@10V,100A
功率(Pd)230W阈值电压(Vgs(th)@Id)2.1V@150uA
栅极电荷(Qg@Vgs)142nC输入电容(Ciss@Vds)70pF
反向传输电容(Crss@Vds)395pF工作温度-55℃~+175℃

IRFS7537TRLPBF手册

IRFS7537TRLPBF概述

IRFS7537TRLPBF 产品概述

1. 产品简介

IRFS7537TRLPBF 是一款高性能 N 通道 MOSFET,由著名半导体制造商英飞凌(Infineon)生产,专为高效率电源管理和功率放大应用而设计。该器件具有优越的电气性能,适用于需要高电流和高效率的场合,特别是在汽车、工业和消费电子领域。

2. 基本参数

  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss): 60V
  • 连续漏极电流(Id): 173A(在额定温度条件下,Tc)
  • 导通电阻(Rds On):
    • 最大值:3.3 毫欧(@ 100A,Vgs = 10V)
  • 阈值电压(Vgs(th)): 最大值:3.7V(@ 150μA)
  • 栅极电压范围(Vgs): ±20V
  • 栅极电荷(Qg): 最大值 210nC(@ Vgs = 10V)
  • 输入电容 (Ciss): 最大值 7020pF(@ 25V)
  • 功率耗散(Pd): 最大值 230W
  • 工作温度范围: -55°C ~ 175°C
  • 封装类型: 表面贴装(SMD),D²PAK(TO-263AB)

3. 产品特点

IRFS7537TRLPBF 在多个方面表现出色,使其成为各种应用的理想选择:

  • 高承载能力: 该MOSFET能够在高达173A的电流下运行,满足高功率需求的应用。
  • 低导通电阻: 最大3.3毫欧的导通电阻意味着在高电流条件下的功率损耗最低,从而提高系统的整体效率。
  • 宽阈值电压范围: Vgs(th)的宽范围使得该器件能够在多个电压条件下正常工作,增加了设计的灵活性。
  • 宽广的工作温度: 能够在-55°C到175°C的极端温度条件下工作,适合高温和严酷环境下的应用,如汽车和工业设备。

4. 应用场景

IRFS7537TRLPBF 可广泛应用于以下领域:

  • 开关电源: 由于其高效率和低导通电阻,适合在 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器中使用。
  • 电机驱动: 高电流和高耐压特性使其成为电动机驱动系统的理想选择,提供高效驱动能力。
  • 电池管理系统: 在电池充电和放电过程中,IRFS7537TRLPBF 能够提供快速切换和良好的导电性,适合用于各种电池管理应用。
  • 高频应用: 由于其低栅极电荷,适合高频开关应用,例如计算机电源系统和消费电子。

5. 封装和安装

该元器件采用 D²PAK(TO-263-3)封装,符合表面贴装(SMT)标准,便于自动化生产和实际应用中减小PCB占用空间。该封装设计增强了散热性能,有助于提高器件在高功率操作下的稳定性和可靠性。

6. 总结

IRFS7537TRLPBF N 通道 MOSFET 是一款适用于高功率和高效率应用的优质元器件。其高电流、低导通电阻、宽工作温度范围和灵活的封装选择,使其成为现代电子产品设计中的重要组成部分。英飞凌作为领先的半导体制造商,提供的这一产品,无疑将为工程师和设计师在他们的项目中提供卓越的性能和可靠性。此器件不仅能够提升系统的效率,还能降低能耗,是追求高性能电源解决方案的理想选择。