类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 5.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 29mΩ@10V,5.8A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 22nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 650pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 130pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRF7389TRPBF是一款性能优越的场效应管(MOSFET),适用于需求多样化的电源管理、电机驱动和开关控制等应用。这款器件由英飞凌(Infineon)出品,采用SO-8封装,具有良好的散热性能和紧凑的尺寸设计,使其在各种电子电路中都能实现高效的转换和控制功能。
安装类型: 表面贴装型(SMD),方便电路板的自动化贴片和组装。
溪导通电阻(Rds(on)):
FET类型:
漏源电压(Vdss):
工作温度范围:
输入电容(Ciss):
栅极电荷(Qg):
阈值电压(Vgs(th)):
功率额定值:
IRF7389TRPBF的设计使其适合广泛的应用领域,包括但不限于:
IRF7389TRPBF是一款具备高性能、广泛适用性的MOSFET,凭借其低导通电阻、宽工作温度范围和适合逻辑电平的特性,成为许多现代电子产品的优选元件。无论是在电源管理、电机控制,还是信号处理领域,该器件均能提供出色的解决方案,致力于提升电路的总体性能和可靠性。通过采用IRF7389TRPBF,设计师能够满足当代电子产品日益严苛的性能需求,同时保持较低的功耗和良好的热管理特性。