漏源电压(Vdss) | 200V | 连续漏极电流(Id) | 25A |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 60mΩ@10V,15A | 功率(Pd) | 144W |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@100uA | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 38nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.71nF | 反向传输电容(Crss@Vds) | 30pF@10V |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRFB4620PBF 是一款高性能的 N 通道绝缘栅场效应管(MOSFET),由知名品牌英飞凌(Infineon)生产。该器件专为高电压和高电流应用而设计,尤其适用于电源管理和逆变器等领域。其独特的参数配置使其在各种苛刻的工作环境中具有卓越的性能。
IRFB4620PBF 的导通电阻在 10V 时最大为 72.5 毫欧,对于流过 15A 的电流来说,这一导通电阻的表现非常优异,能够显著降低能量损耗。这使得该器件在高效能的开关电源和逆变器中非常理想。此外,其在 100µA 的 Vgs(th) 下的最大阈值电压为 5V,为设计者提供了一定的设计灵活性。
该 MOSFET 的栅极电荷 (Qg) 最大值为 38nC @ 10V,使得它在开关速度方面表现出色,能够实现快速的开关操作,满足高频率应用的需求。同时,其在 50V 下的输入电容 (Ciss) 最大值为 1710pF,有助于进一步提高开关速度,从而在各种电子设备中提升整体性能。
IRFB4620PBF 的工作温度范围广泛,-55°C 到 175°C 的工作温度使其适合在极端环境中使用,非常适合航空航天、汽车和工业应用。其最大功率耗散为 144W(Tc),对应不同工作条件下的可靠性,有效避免了热失控。
该器件采用 TO-220AB 封装形式,便于散热,适合通孔安装,能够实现良好的热管理,适应高功率应用。此外,TO-220 封装的设计也使得 IRFB4620PBF 在安装与散热方面具有一定的灵活性。
由于其卓越的性能参数和广泛的工作温度范围,IRFB4620PBF 特别适用于以下应用:
综合考虑 IRFB4620PBF 的性能特点,该 MOSFET 凭借其高耐压、高电流及低导通电阻的优势,成为了高效能电源解决方案的理想选择。其出色的开关特性和强大的环境适应性,无疑能够满足现代电子设备对性能和可靠性的高要求。因此,IRFB4620PBF 是电子设计工程师在高功率应用中的不二之选。