IRFZ46NPBF
IRFZ46NPBF参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 55V |
| 连续漏极电流(Id) | 53A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 16.5mΩ@10V,28A |
| 功率(Pd) | 107W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 72nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.696nF |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 110pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRFZ46NPBF手册
IRFZ46NPBF概述
产品概述：IRFZ46NPBF
一、基本信息
IRFZ46NPBF是一款高性能的N通道MOSFET，具有出色的电气特性和广泛的应用场景。该器件由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）生产，采用TO-220AB封装，适用于各种高功率电源转换和开关应用。
二、技术规格
漏源电压（Vdss）：IRFZ46NPBF的漏源电压高达55V，使其能够在高电压环境下安全稳定地运行，满足许多行业对电源管理的需求。
连续漏极电流（Id）：在25°C的环境温度下，该器件的连续漏极电流为53A（Tc），使其适合大电流应用，确保能够有效处理重负载。
导通电阻（Rds On）：此MOSFET在10V驱动电压下，28A的工作条件下最大导通电阻为16.5毫欧，这意味着在开关过程中的能量损耗极低，有助于提高系统的能效和稳定性。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：器件的最大Vgs(th)为4V，表明在相对低的栅极电压下，MOSFET就能开始导通，适合各种驱动电路。
栅极电荷（Qg）：在10V条件下，该MOSFET的最大栅极电荷为72nC，具备快速开关能力，适合高频率的应用环境。
工作温度范围：IRFZ46NPBF的工作温度范围在-55°C至175°C之间，这使得该器件可在极端环境条件下运行，适用于航空航天、军事和工业等各种关键应用。
三、功率耗散
IRFZ46NPBF的最大功率耗散能力为107W（Tc），这为其在高功率应用中的安全性提供了保障。相较于同类产品，IRFZ46NPBF的功率处理能力显著，能够在高负载情况下保持较低的温升。
四、应用领域
IRFZ46NPBF的优越特性使其在多个领域中表现出色，包括：
- DC-DC转换器：在电源管理和电池供电系统中，能够提供高效率和高电流输出。
- 电机驱动：适用于各种电机控制应用，可以高效驱动直流电机和步进电机。
- 开关电源：在电源模块中发挥重要作用，提高转换效率和稳定性。
- 高频开关设备：适合高频应用，提供快速的开关响应和低导通损耗。
五、总结
总的来说，IRFZ46NPBF为设计工程师提供了一款强大的解决方案，具有高电压、高电流能力、低导通损耗及广泛的工作温度范围。其在各种应用场景中的出色表现，使其成为电源管理领域值得信赖的选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子等领域，IRFZ46NPBF都是一个可靠的选择，能够满足现代电子设备对高效能和高可靠性的挑战。